[发明专利]基材支撑单元以及使用它的基材处理设备和方法

说明书

相关申请的交叉参考

本申请要求2007年10月10日提交的韩国专利申请No.10-2007-0101879和2007年10月10日提交的韩国专利申请No.10-2007-0101880的优先权，在此引入这两件韩国专利申请的全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种基材支撑单元以及使用它的基材处理设备和方法，更具体而言，涉及一种支撑半导体基材使得在该半导体基材的整个区域上均匀地进行处理的基材支撑单元，还涉及一种使用该基材支撑单元的基材处理设备和方法。

背景技术

诸如半导体存储器或平板显示器等电子器件包括基材。基材可以包括硅晶片或玻璃基材。在基材上设有多个导电层图案，在彼此不同的导电层图案之间设有绝缘层图案。经诸如曝光、显影和蚀刻处理等一系列处理形成导电层图案或绝缘层图案。

因为导电层图案和绝缘层图案具有从几微米到几纳米的尺寸范围，所以处理的精度很重要。也就是说，必须对所有基材均匀地进行处理。如果不均匀地进行处理，那么会在图案中出现误差，导致电子器件出现故障。

例如，在对基材的处理是清洁处理的情况下，将目标基材浸在腔室内的处理液中。在目标基材与处理液反应的同时进行清洁处理。在进行清洁处理之后，干燥基材。当对基材不均匀地进行清洁处理时，会在预定区域出现水印，从而产生杂质微粒。其结果是，杂质微粒导致使用该基材的电子器件出现故障。

发明内容

本发明提供一种支撑半导体基材使得在该半导体基材的整个区域上均匀地进行处理的基材支撑单元。

本发明还提供一种使用基材支撑单元的基材处理设备。

本发明还提供一种使用基材支撑单元的基材处理方法。

本发明的实施例提供了包括第一支撑部和第二支撑部的基材支撑单元。所述第一支撑部可沿第一方向移动并支撑基材的第一部分，其中，沿着相应于第一方向的方向供应处理流体。所述第二支撑部可沿第二方向移动并支撑所述基材的第二部分。在供应所述处理流体时，所述第一支撑部和所述第二支撑部中的至少一个支撑着所述基材。

在本发明的其它实施例中，基材支撑单元包括第一支撑部和第二支撑部。所述第一支撑部可沿竖直方向移动并支撑竖直设置的基材的下端。所述第二支撑部可沿水平方向移动并支撑所述基材的两侧端。

在本发明的其它实施例中，基材处理设备包括腔室、喷射器和基材支撑单元。所述第一腔室容纳基材并对所述基材进行处理。所述喷射器设在所述第一腔室内并向所述基材供应处理流体。所述基材支撑单元设在所述第一腔室内并在进行处理时支撑着所述基材。

所述基材支撑单元包括第一支撑部和第二支撑部。所述第一支撑部可沿着相应于所述处理流体的供应方向的第一方向移动。所述第一支撑部支撑所述基材的第一部分。所述第二支撑部可沿第二方向移动并支撑所述基材的第二部分。在供应所述处理流体时，所述第一支撑部和所述第二支撑部中的至少一个支撑着所述基材。

在本发明的其它实施例中，基材处理设备包括第一腔室、第二腔室、第一支撑件和第二支撑件。所述第一腔室容纳基材并对所述基材进行第一处理。所述第二腔室与所述第一腔室连接并对所述基材进行第二处理。所述第一支撑件支撑所述基材并在所述第一腔室和所述第二腔室之间与所述基材一起转移。所述第二支撑件在所述第二腔室内支撑所述基材并且可与其上支撑的所述基材一起旋转。

在本发明的其它实施例中，基材处理方法包括：在第一腔室内用第一支撑件支撑基材并对所述基材进行第一处理；将支撑所述基材的所述第一支撑件转移到与所述第一腔室连接的第二腔室；将所述第一支撑件与所述基材分开，并用第二支撑件支撑所述基材；以及在所述第二支撑件旋转时对所述基材进行第二处理。

附图说明

附图用于进一步理解本发明，其并入本说明书中并构成它的一部分。附图阐明本发明的示例性实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是根据本发明实施例的基材支撑单元的剖视图；

图2是图1所示的第一支撑件的立体图；

图3A和图3B是解释图1所示的基材支撑单元实施的剖视图；

图4是根据本发明实施例的基材处理设备的立体图；

图5是图4所示的子处理单元的剖视图；

图6是使用图5所示的子处理单元的基材处理方法的流程图；

图7是根据本发明另一个实施例的图4所示的子处理单元的剖视图；

图8是使用图7所示的子处理单元的基材处理方法的流程图；以及