[发明专利]叠层薄膜以及叠层陶瓷电子部件的制造方法有效
申请号: | 200810168161.6 | 申请日: | 2008-09-28 |
公开(公告)号: | CN101399117A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 饭岛忠良;饭田修治 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H05K3/46;B28B13/00;C04B35/622 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 熊玉兰;孙秀武 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 以及 陶瓷 电子 部件 制造 方法 | ||
1.叠层薄膜,其具有由合成树脂构成的芯层和导电性脱模层, 所述导电性脱模层是在上述芯层的至少一面上形成的、含有缩合反应 型剥离性粘合剂和导电性高分子的导电性脱模层,
上述导电性脱模层中的导电性高分子与缩合反应型剥离性粘合 剂的质量比,即导电性高分子/缩合反应型剥离性粘合剂为1/4~1/1。
2.如权利要求1所述的叠层薄膜,其中,上述缩合反应型剥离 性粘合剂具有通过缩合反应形成的交联结构。
3.如权利要求1或者2所述的叠层薄膜,其中,上述缩合反应 型剥离性粘合剂是氨基醇酸树脂。
4.如权利要求3所述的叠层薄膜,其中,上述氨基醇酸树脂是 硅氧烷改性的氨基醇酸树脂。
5.如权利要求1所述的叠层薄膜,其中,上述导电性高分子是 聚吡咯。
6.如权利要求1所述的叠层薄膜,其中,上述芯层的表面的最 大峰高度Rp为200nm以下。
7.如权利要求1所述的叠层薄膜,其中,上述合成树脂是聚对 苯二甲酸乙二酯。
8.如权利要求1所述的叠层薄膜,其中,上述芯层的表面基本 不含有填料,其中,所述基本不含有填料是指使用光学干涉式三维非 接触表面形状测定系统进行芯层表面的测定,其结果具有Ra为10nm 以下,Rp为200nm以下的表面性。
9.如权利要求1所述的叠层薄膜的制造方法,其将含有缩合反 应型剥离性粘合剂的前体和导电性高分子的导电性脱模层形成用涂 布液过滤后,在由合成树脂构成的芯层的至少一面上涂布、干燥,使 缩合反应型剥离性粘合剂的前体进行缩合反应并固化。
10.叠层陶瓷电子部件的制造方法,其具有:
从卷绕了权利要求1~8中任一项所述的叠层薄膜的辊上引出叠 层薄膜的工序;
在上述叠层薄膜的表面上形成生片的工序;
从上述叠层薄膜的表面剥离上述生片并进行叠层而得到叠层体 的工序;
将上述叠层体进行烧结的工序。
11.如权利要求10所述的叠层陶瓷电子部件的制造方法,其中, 进而具有在上述生片的表面形成电极图案层的工序。
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