[发明专利]基板处理装置和基板处理方法及存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及在处理室内部，例如对半导体器件或LCD(液晶显示器)基板等进行例如疏水化处理等的规定的基板处理的技术。

背景技术

在半导体器件或LCD基板等的制造工艺中的抗蚀剂图形的形成处理的一连串工序之一中，有对基板例如半导体晶片(以下称为‘晶片’)的疏水化处理。该处理在对晶片涂敷抗蚀剂液之前进行，以便提高衬底膜和抗蚀剂膜之间的粘结性(密接性)，对于晶片的表面喷射HMDS(六甲基二硅胺烷：hexamethyl disilazane)的蒸汽而形成薄的覆盖膜，使亲水性的晶片W的表面改变为疏水性。此时，疏水化处理进行至晶片W表面和斜面部分(外周部分端面)为止较好。通过这样进行疏水化处理，在后面的工序中，在进行使水介于晶片W和曝光机之间进行曝光的液浸曝光处理的情况下，也有抗蚀剂膜不易脱落的优点。

对于这种疏水处理，与进行该处理的装置的结构一起，用图13和图14进行说明。首先，将晶片W搬入到容器本体11和盖体12构成的处理室10内部，并装载在载置部13上(步骤S11)。即，通过使盖体12相对于容器本体11上升，在它们之间形成开口部从而搬入晶片W，接着使盖体12下降而使容器本体11和盖体12接触，将所述开口部闭合。此时，对载置部13从外部的搬送单元交送晶片W时，载置部13内所内置的升降销(pin)14被使用。

接着，将处理室10密闭(步骤S12)。这样密闭处理室10的理由是，如果上述HMDS气体被放出到清洁室(clean room)中，则成为微粒产生的原因，其与空气中的水分发生反应，会生成对抗蚀剂图形的形状产生不良影响的氨，所以要防止HMDS气体的漏泄。具体地说，处理室10的密闭通过对容器本体11和盖体12之间的接触部形成的排气路径15利用密闭用排气单元16进行排气，使容器本体11和盖体12被吸附贴紧来进行。图中标号15a表示的是在排气路径15的周围设置的密封部件。

接着，将HMDS气体供给到处理室10内部，进行疏水处理(步骤S13)。在盖体12的大致中央部分，形成气体喷嘴17，HMDS气体通过气体供给管17b、在盖体12的内部形成的气体供给路径17a，从气体喷嘴17喷雾状地供给到处理室10内部。由此，在处理室10内部充满HMDS气体来进行疏水处理，但此时HMDS气体扩散到在容器本体11和载置台13之间的侧壁部之间形成的间隙、在载置台13的内部形成的升降销14的移动区域、覆盖在载置台13的下方侧形成的升降销14的升降区域的机壳14a内部，从所述间隙或机壳14a所连接的排气路径18被挤出，被排气到处理室10的外部。再有，该工序在所述排气路径18所连接的排气单元19不动作时进行。

由此，在疏水化处理结束后，在打开盖体12前进行气体的置换处理(步骤S14)。这样进行置换处理是为了防止处理室10内部的HMDS气体被放出。在该处理中，对所述气体供给管17b供给作为置换气体的N₂(氮)气体，同时使所述排气单元19动作。此时，为了防止向处理室10外部的气体漏泄，将排气单元19的排气量设定得比N₂气体的供给量大一些，所以处理室10内部被密闭，同时处理室10内部为负压。接着，在置换处理结束后，将排气单元19停止而使处理室10内部返回到大气压，同时将密闭用排气单元16停止，从而将处理室10开放(步骤S15)。然后，使盖体12上升，将处理室10打开，从处理室10中搬出晶片W(步骤S16)。

在这样的疏水化处理装置中，如上所述，由于处理室10被密闭，所以在气体的置换处理时处理室10内部为负压，升降销14的移动区域或机壳14a内部也为负压。因此，HMDS气体会迂回进入至晶片W的背面侧为止，存在至晶片W背面的不需要部分为止都被疏水化处理的问题。对于晶片的背面侧，从外周至1cm左右为止，即使进行疏水化处理也没有问题，但如果至晶片W的背面侧为止较大地迂回进入且被疏水化，则在涂敷有抗蚀剂后的工序中，在为了除去晶片W的背面侧的污浊而供给冲淡剂(稀释剂：thinner)，从而清洗背面侧的处理时，容易不沾冲淡剂液，发生污浊残留的问题。

此外，为了实现处理室10的密闭，在容器本体11和盖体12之间，必须设置排气路径15、密封部件15a、密闭用排气单元16等的密闭机构而增加结构部件，结构变得复杂，所以在装置的组装作业上产生花费时间的问题。而且，结构变得复杂，容易发生装置的组装误差，还需要其调整作业、有无组装误差的检测和管理等，有作业者的负担增大的问题。