[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810168907.3 | 申请日： | 2008-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101399236A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 小林信次;富泽勇 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1、一种半导体装置，具有：
元件形成区域，配置于半导体基板上；和
密封环构造，由在所述半导体基板上层叠的金属件构成，包围所述元件形成区域；
所述密封环构造沿着倒角后的平面形状的周围配置。
2、一种半导体装置，具有：
元件形成区域，配置于半导体基板上；和
密封环构造，由在所述半导体基板上层叠的金属件构成，包围所述元件形成区域；
在由于所述密封环构造而产生了阶梯的该半导体装置的表面，具有以液体状态流动、涂敷并层叠而成的涂敷层，
所述密封环构造沿着倒角后的平面形状的周围配置。
3、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
配置所述密封环构造的所述平面形状为：大致轮廓是矩形，具有将该矩形的直角的顶部以约45°的角度按直线切除后的倒角部。
4、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
配置所述密封环构造的所述平面形状为：大致轮廓是矩形，具有将该矩形的直角的顶部按圆弧形状切除后的倒角部。
5、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
该半导体装置，具有利用多层的布线金属膜形成的多层布线构造，
所述密封环构造的所述金属件，利用所述各布线金属膜形成。
6、根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
该半导体装置混合装载第1半导体元件和第2半导体元件，该第2半导体元件与所述第1半导体元件相比需要流过更大的驱动电流，
该半导体装置具有：由第1布线金属膜构成的布线，该第1布线金属膜具有与所述第1半导体元件的所述驱动电流对应的厚度；由第2布线金属膜构成的布线，该第2布线金属膜根据所述第2半导体元件的所述驱动电流而具有比所述第1布线金属膜厚的厚度。
7、根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
在所述多层的布线金属膜的最上层配置所述第2布线金属膜。
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