[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，特别涉及具有密封环的半导体装置及其制造方法，该密封环用于防止水分、湿气等从通过切割(dicing)方式自半导体基板分离出的半导体芯片的切断面浸入。

背景技术

半导体集成电路(IC)在晶片上形成有多个，该晶片通过切割工序切分成各自形成有IC的半导体芯片。在通过切割生成的半导体芯片的侧面露出层间绝缘膜，水分、湿气等从这里侵入，会引起IC的误操作和破坏。因此，为了阻止湿气等从半导体芯片侧面进入，形成了密封环。图4是半导体芯片2的俯视图。如此图所示，在芯片2上形成有IC的区域4的周围，形成有密封环6。

密封环6是用在半导体基板上形成布线的金属层形成的。对由铝(Al)等构成的用于形成多层布线的各布线金属膜进行图案化，形成具有与密封环6对应的形状的金属层图案。在多层金属层图案的相互之间以及最下层的金属层图案和半导体基板之间分别层叠的层间绝缘膜上设置开口，在该开口内埋入钨塞(tungsten plug)等。由此，从多层金属层图案的最上层到基板表面，形成在垂直方向上连接的密封环6。

从在晶片上将半导体芯片无间隙地布局能够确保每一片晶片的芯片收容量和切割的容易度等观点考虑，一般半导体芯片的平面形状采用矩形，与此相对应，I C的形成区域4以及密封环6也基本上形成为矩形。

在完成的或者形成过程中的密封环6上，有旋涂光致抗蚀剂等的液状材料的情况。该情况下，存在容易以矩形的密封环6的拐角为发端产生条痕(striation)的问题。

如果使涂敷的膜厚增加，可以减轻被涂敷在晶片上的液状材料的条痕。但是，为此的液状材料的所需膜厚，与密封环6的阶梯相应地增加。因此，在为了形成流过大电流的布线等而使布线金属层增厚的情况下，液状材料的所需膜厚成为涂敷困难的较大的值，存在难以抑制条痕的情况。另外，对于如光致抗蚀剂等在涂敷后进行图案化的膜而言，若膜厚变厚则存在该膜的蚀刻变困难的不良情况。

【专利文件1】特开平6-97374号公报

【专利文件2】特开2000-232104号公报

发明内容

本发明为了解决上述问题而实现，其目的是：提供一种在制造工序中涂敷到密封环上的液体材料的条痕被减轻的半导体装置的构造、以及减轻该条痕的制造方法。

本发明的半导体装置，具有：元件形成区域，配置在半导体基板上；密封环构造，由在所述半导体基板上层叠的金属件构成，包围所述元件形成区域。所述密封环构造沿着倒角后的平面形状的周围配置。

附图说明

图1是本发明的实施方式的半导体芯片的示意性俯视图。

图2是沿图1所示的半导体芯片的直线A-A’的示意性垂直剖视图。

图3A是表示平面形状为未倒角的矩形的密封环构造的拐角部分的液状材料的流动的示意图。

图3B是表示平面形状为倒角后的矩形的密封环构造的拐角部分的液状材料的流动的示意图。

图4是以往的半导体芯片的俯视图。

具体实施方式

下面，对本发明的实施的方式(以下称为实施方式)，根据附图进行说明。

图1是实施方式的半导体装置的半导体芯片20的示意性俯视图。图2是沿图1上的直线A-A’的半导体芯片20的示意性垂直剖视图。

半导体芯片20，在尚未从晶片切离的状态即在晶片状态下进行的工序中，其中央部设置的元件形成区域22内形成晶体管等的电路元件或布线。另一方面，在元件形成区域22的外侧的区域24内，例如在晶片(半导体基板25)表面，形成厚的LOCOS(局部氧化膜)26，由此，区域24使元件形成区域22与半导体芯片20的端部分离。在该分离区域24内，包围元件形成区域22地形成密封环构造28。另外，在半导体基板25上，布线和密封环构造28等的构造，通过在晶片状态下进行材料的层叠、图案化等形成。此时，在光致抗蚀剂、层间绝缘膜、上部的平坦化膜、和保护膜的形成中使用的材料内，存在具有液体状态并涂敷于基板表面的物质。这种涂敷工序一般用旋涂法进行。处于晶片状态的IC形成工序完成后，半导体芯片20通过切割从晶片以矩形切离。

接下来说明密封环构造28的构造以及形成工序。密封环构造28，具有在层间绝缘膜30、32、34、36内形成的金属塞40、42、44、46与由形成布线的布线金属层构成的密封环(单层密封环)50、52、54、56交替层叠的构造。