[发明专利]基板模块、基板模块的制造方法及电子机器无效
申请号: | 200810169192.3 | 申请日: | 2008-11-04 |
公开(公告)号: | CN101515592A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 中野高宏;南尾匡纪;富田佳宏;佐野光 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模块 制造 方法 电子 机器 | ||
1.一种基板模块,包括基板,设置在所述基板的第一表面上或所述基板的内部的电子部件,连接在所述电子部件上并且设置在所述基板的所述第一表面上的连接电极,沿所述基板的厚度方向贯通该基板而到达所述连接电极的背面的第一贯通孔部,设置在所述第一贯通孔部的内部并且从所述第一贯通孔部的内部向所述基板的第二表面上延伸而设的贯通电极,以及设置在所述基板的所述第二表面上并且在所述基板的所述第二表面上与所述贯通电极连接的布线电极,其特征在于:
在所述第一贯通孔部的内部,所述贯通电极设置为:在与所述连接电极的所述背面相向的部分具有凹部,位于所述连接电极的所述背面上的部分比位于所述第一贯通孔部的侧面上的部分厚。
2.根据权利要求1所述的基板模块,其特征在于:
所述贯通电极中设置在所述连接电极的所述背面上的部分的厚度比所述布线电极的厚度厚。
3.根据权利要求1所述的基板模块,其特征在于:
所述贯通电极中设置在所述连接电极的所述背面上的部分的厚度比所述连接电极的厚度厚。
4.根据权利要求1所述的基板模块,其特征在于:
所述基板模块还包括设置在所述基板的所述第二表面上而覆盖所述布线电极的表面的绝缘层,
在所述贯通电极的所述凹部内也设置有所述绝缘层。
5.根据权利要求4所述的基板模块,其特征在于:
在所述绝缘层中形成有第二贯通孔,
在所述第二贯通孔内设置有安装电极,
所述安装电极连接在所述布线电极上。
6.根据权利要求1所述的基板模块,其特征在于:
所述贯通电极由铜或以铜为主要材料的金属形成。
7.根据权利要求1所述的基板模块,其特征在于:
所述基板由硅形成,
氧化硅薄膜、含钛金属薄膜或铬薄膜、以及铜薄膜依次层叠在所述第一贯通孔部的所述侧面上,
所述贯通电极由以铜为主要材料的金属形成,并设置在所述铜薄膜的表面上。
8.根据权利要求7所述的基板模块,其特征在于:
所述氧化硅薄膜未设置在所述贯通电极与所述连接电极之间。
9.根据权利要求1所述的基板模块,其特征在于:
所述第一贯通孔部在所述基板的所述第一表面上的孔径比所述第一贯通孔部在所述基板的所述第二表面上的孔径小。
10.根据权利要求9所述的基板模块,其特征在于:
所述第一贯通孔部形成为锥形。
11.根据权利要求4所述的基板模块,其特征在于:
所述绝缘层由热固性树脂形成。
12.根据权利要求4所述的基板模块,其特征在于:
所述绝缘层由紫外光固化树脂形成。
13.一种基板模块的制造方法,该基板模块具有电子部件,该基板模块的制造方法包括:将连接在所述电子部件上的连接电极设置在基板的第一表面上的工序a,形成沿所述基板的厚度方向贯通该基板而到达所述连接电极的背面的第一贯通孔部的工序b,将贯通电极设置在所述第一贯通孔部的内部,并将所述贯通电极设置为该贯通电极从所述第一贯通孔部的内部延伸到所述基板的第二表面上的工序c,以及将布线电极设置在所述基板的所述第二表面上,并在所述基板的所述第二表面上使所述布线电极和所述贯通电极互相连接的工序d,其特征在于:
在所述工序c中,将所述贯通电极设置为位于所述连接电极的所述背面上的部分比位于所述第一贯通孔部的侧面上的部分厚,在所述贯通电极中与所述连接电极的所述背面相向的部分形成凹部。
14.根据权利要求13所述的基板模块的制造方法,其特征在于:
所述基板模块的制造方法还包括将绝缘层设置在所述基板的所述第二表面上来使该绝缘层覆盖所述布线电极的表面的工序e,
在所述工序e中,将所述绝缘层插入所述贯通电极的所述凹部内。
15.根据权利要求14所述的基板模块的制造方法,其特征在于:
所述基板模块的制造方法还包括在所述绝缘层中形成第二贯通孔的工序f,和
将安装电极设置在所述第二贯通孔的内部,并使所述安装电极和所述布线电极互相连接的工序g。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的