[发明专利]制造发光元件阵列的方法

权利要求书

1.一种制造发光元件阵列的方法，包含：

提供基板；

形成发光叠层于该基板之上，其中该发光叠层包含：

第一半导体层，位于该基板之上；

发光层，位于该第一半导体层之上；及

第二半导体层，位于该发光层之上；

移除部分该发光叠层以形成至少一沟槽，其中该沟槽曝露部分该基板， 并将该发光叠层分隔成至少一第一发光元件与第二发光元件；

移除部分该第一发光元件的该第二半导体层与该发光层与该第二发光 元件的该第二半导体层与该发光层以曝露部分该第一发光元件的该第一半 导体层与该第二发光元件的该第一半导体层；

于各该第二半导体层之上形成第二电极；

于各该暴露的第一半导体层之上形成第一电极；以及

形成绝缘层于该发光叠层与该沟槽之上，该绝缘层封闭该沟槽以于该沟 槽之中形成至少一空洞。

2.如权利要求1所述的制造发光元件阵列的方法，其中该发光叠层的材 料包含一种或一种以上的物质选自镓、铝、铟、砷、磷、氮与硅所构成的群 组。

3.如权利要求1所述的制造发光元件阵列的方法，其中该沟槽的宽度不 大于两倍的该第一半导体层上的该绝缘层厚度。

4.如权利要求1所述的制造发光元件阵列的方法，其中该沟槽包含多个 次沟槽。

5.如权利要求4所述的制造发光元件阵列的方法，其中任一该多个次沟 槽的宽度不大于两倍的该第一半导体层上的该绝缘层厚度。

6.如权利要求1所述的制造发光元件阵列的方法，其中形成该绝缘层的 方法是选自电子束蒸镀法、溅镀法与等离子体增强化学气相沉积法所构成的 群组。

7.如权利要求1所述的制造发光元件阵列的方法，在形成该绝缘层于该 发光叠层与该沟槽之上之后，还包含形成电连接线电连接该第一发光元件的 第一电极与该第二发光元件的第二电极。

8.如权利要求7所述的制造发光元件阵列的方法，其中形成该电连接线 的方法是选自物理气相沉积法、化学气相沉积法、化学镀、电镀所构成的群 组。

9.如权利要求8所述的制造发光元件阵列的方法，其中该化学气相沉 积法为有机金属化学气相沉积法和等离子体增强化学气相沉积法。

10.如权利要求8所述的制造发光元件阵列的方法，其中该物理气相沉 积法为电子束蒸镀法。

11.一种发光元件阵列，包含：

基板；

第一发光元件，位于该基板之上；

第二发光元件，位于该基板之上；

至少一沟槽，分隔该第一发光元件与该第二发光元件；以及

绝缘层，封闭该沟槽以形成至少一空洞于该沟槽之中。

12.如权利要求11所述的发光元件阵列，其中该第一发光元件或该第 二发光元件包含发光叠层，位于该基板之上，其中该发光叠层包含：

第一半导体层，位于该基板之上；

发光层，位于该第一半导体层之上；以及

第二半导体层，位于该发光层之上。

13.如权利要求12所述的发光元件阵列，其中该沟槽两侧的所述第一 半导体层的上表面位在同一水平面。

14.如权利要求12所述的发光元件阵列，其中该发光叠层的材料包含 一种或一种以上的物质选自镓、铝、铟、砷、磷、氮与硅所构成的群组。

15.如权利要求11所述的发光元件阵列，其中该沟槽宽度不大于两倍 的该第一半导体层上的该绝缘层厚度。

16.如权利要求11所述的发光元件阵列，其中该沟槽包含多个次沟槽。

17.如权利要求16所述的发光元件阵列，其中任一该多个次沟槽的宽 度不大于两倍的该第一半导体层上的该绝缘层厚度。

18.如权利要求11所述的发光元件阵列，还包含电连接线，位于该绝 缘层之上，电连接该第一发光元件的第一电极与该第二发光元件的第二电 极。