[发明专利]制造发光元件阵列的方法有效

申请号：	200810169439.1	申请日：	2008-10-22
公开（公告）号：	CN101728322A	公开（公告）日：	2010-06-09
发明（设计）人：	刘宗宪;陈昭兴;郭政达	申请（专利权）人：	晶元光电股份有限公司
主分类号：	H01L21/82	分类号：	H01L21/82;H01L27/15
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陶凤波
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	制造发光元件阵列方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及一种发光元件阵列的制造方法，特别是涉及一种具有绝缘层封闭沟槽的发光元件阵列。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode；LED)是一种固态物理半导体元件，发光二极管阵列(LED Array)具有多个LED，依需求做适当的串联或并联。在串联或并联前，需要先形成沟槽以区隔各个LED，接着在沟槽及LED之间形成绝缘层以电绝缘各个LED，再形成电连接线在绝缘层之上并电连接各个LED的电极，以达成串联或并联。然而由于沟槽的尺寸影响，例如沟槽的深度太深，导致在沟槽的侧壁上形成电连接线时会出现断线或电连接不良的现象。已知的解决方法是采用增加电连接线的厚度以填满沟槽或是完整地覆盖在沟槽侧壁上，以达到良好的电连接；但是增加电连接线的厚度也同时增加生产的成本。

发明内容

一种制造发光元件阵列的方法，包含提供基板；形成发光叠层于基板之上，其中发光叠层包含第一半导体层，位于基板之上；发光层，位于第一半导体层之上；及第二半导体层，位于发光层之上。移除部分发光叠层以形成至少一沟槽，其中沟槽曝露部分基板，并将发光叠层划分成第一发光元件与第二发光元件。移除部分第一发光元件的第二半导体层与发光层与第二发光元件的第二半导体层与发光层，以曝露部分第一发光元件的第一半导体层与第二发光元件的第一半导体层。接着形成第二电极于第二半导体层之上，与第一电极于暴露的第一半导体层之上。形成绝缘层于发光叠层与沟槽之上，绝缘层大致封闭沟槽以于沟槽之中形成至少一空洞，并暴露第一电极与第二电极。形成电连接线电连接第一发光元件的第一电极与第二发光元件的第二电极。

一种发光元件阵列，包含基板；第一发光元件，位于基板之上；第二发光元件，位于基板之上；至少一沟槽，分隔第一发光元件与第二发光元件；以及绝缘层，大致封闭沟槽以形成至少一空洞于沟槽之中。

附图说明

图1为显示依据本发明实施例的发光元件阵列的制造流程剖面图。

图2为显示依据本发明实施例的沟槽的剖面图。

图3为显示依据本发明另一实施例的沟槽的剖面图。

图4为显示依据本发明另一实施例的沟槽的剖面图。

图5为显示利用本发明实施例的发光元件阵列组成的光源产生装置的示意图。

图6为显示利用本发明实施例的发光元件阵列组成的背光模块的示意图。

附图标记说明

1：发光元件阵列 10：基板

12：发光叠层 122：第一半导体层

124：发光层 126：第二半导体层