[发明专利]配线板、半导体设备以及制造配线板和半导体设备的方法无效
申请号: | 200810169503.6 | 申请日: | 2008-10-06 |
公开(公告)号: | CN101404259A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
发明(设计)人: | 金子健太郎 | 申请(专利权)人: | 新光电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/50;H01L21/58;H01L21/60;H01L23/498;H05K3/00;H05K3/30;H05K1/02;H05K1/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾红霞;彭 会 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线板 半导体设备 以及 制造 方法 | ||
1.一种制造配线板的方法,包括以下步骤:
对支撑件的表面进行粗糙化处理,以形成粗糙表面;
在所述支撑件的粗糙表面上设置介电层和配线层,以形成中间体;以及
从所述中间体上去除所述支撑件,以获得配线板。
2.根据权利要求1所述的制造配线板的方法,
其中,所述支撑件由金属形成,并且通过蚀刻对所述支撑件的表面进行粗糙化处理。
3.根据权利要求1所述的制造配线板的方法,
其中,所述支撑件由金属形成,并且通过氧化处理设置氧化膜,以对所述支撑件的表面进行粗糙化处理。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的制造配线板的方法,
其中,所述介电层为绝缘层或阻焊层。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的制造配线板的方法,
其中,所述支撑件的粗糙表面的表面形状被转印到所述配线板的去除了所述支撑件的表面上的介电层的表面上,并且使所述介电层的表面形成为粗糙表面。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的制造配线板的方法,
其中,所述支撑件的粗糙表面的粗糙度在300nm≤Ra≤800nm和3.5μm≤Rz≤7μm的范围内。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的制造配线板的方法,还包括以下步骤:
在进行粗糙化处理之后,在所述支撑件的粗糙表面上形成连接焊盘,
其中,所述支撑件的粗糙表面的表面形状被转印到所述连接焊盘的表面上,并且使所述连接焊盘的表面形成为粗糙表面。
8.一种制造半导体设备的方法,包括以下步骤:
形成根据权利要求1所述的配线板;以及
将半导体器件安装在所述配线板的去除了所述支撑件的表面上。
9.一种制造半导体设备的方法,包括以下步骤:
形成根据权利要求1所述的配线板;以及
将半导体器件安装在所述配线板的与去除了所述支撑件的表面相反的表面上。
10.一种制造半导体设备的方法,包括以下步骤:
对支撑件的表面进行粗糙化处理;
在所述支撑件的经过粗糙化处理的表面上设置介电层和配线层,以形成中间体;
在所述中间体的与接触所述支撑件的表面相反的表面上安装半导体器件;以及
从所述中间体上去除所述支撑件,以获得半导体设备。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的制造半导体设备的方法,
其中,所述介电层为绝缘层或阻焊层。
12.根据权利要求8至10中任一项所述的制造半导体设备的方法,
其中,所述支撑件由金属形成,并且通过蚀刻对所述支撑件的表面进行粗糙化处理。
13.根据权利要求8至10中任一项所述的制造半导体设备的方法,
其中,所述支撑件由金属形成,并且通过氧化处理设置氧化膜,以对所述支撑件的表面进行粗糙化处理。
14.根据权利要求8至10中任一项所述的制造半导体设备的方法,
其中,所述支撑件的粗糙表面的表面形状被转印到所述配线板的去除了所述支撑件的表面上的介电层的表面上,并且使所述介电层的表面形成为粗糙表面。
15.根据权利要求8至10中任一项所述的制造半导体设备的方法,
其中,所述支撑件的粗糙表面的粗糙度在300nm≤Ra≤800nm和3.5μm≤Rz≤7μm的范围内。
16.根据权利要求8至10中任一项所述的制造半导体设备的方法,还包括以下步骤:
在进行粗糙化处理之后,在所述支撑件的粗糙表面上形成连接焊盘,
其中,所述支撑件的粗糙表面的表面形状被转印到所述连接焊盘的表面上,并且使所述连接焊盘的表面形成为粗糙表面。
17.一种包括介电层和配线层的配线板,
其中,所述配线板的一个表面用作半导体器件安装表面,与所述配线板的该表面相对的另一个表面用作外部连接端子表面,以及其中,所述半导体器件安装表面的介电层的表面形成为粗糙表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造