[发明专利]配线板、半导体设备以及制造配线板和半导体设备的方法无效

专利信息
申请号: 200810169503.6 申请日: 2008-10-06
公开(公告)号: CN101404259A 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: 金子健太郎 申请(专利权)人: 新光电气工业株式会社
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/50;H01L21/58;H01L21/60;H01L23/498;H05K3/00;H05K3/30;H05K1/02;H05K1/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 顾红霞;彭 会
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 线板 半导体设备 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造配线板的方法,包括以下步骤:

对支撑件的表面进行粗糙化处理,以形成粗糙表面;

在所述支撑件的粗糙表面上设置介电层和配线层,以形成中间体;以及

从所述中间体上去除所述支撑件,以获得配线板。

2.根据权利要求1所述的制造配线板的方法,

其中,所述支撑件由金属形成,并且通过蚀刻对所述支撑件的表面进行粗糙化处理。

3.根据权利要求1所述的制造配线板的方法,

其中,所述支撑件由金属形成,并且通过氧化处理设置氧化膜,以对所述支撑件的表面进行粗糙化处理。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制造配线板的方法,

其中,所述介电层为绝缘层或阻焊层。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的制造配线板的方法,

其中,所述支撑件的粗糙表面的表面形状被转印到所述配线板的去除了所述支撑件的表面上的介电层的表面上,并且使所述介电层的表面形成为粗糙表面。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的制造配线板的方法,

其中,所述支撑件的粗糙表面的粗糙度在300nm≤Ra≤800nm和3.5μm≤Rz≤7μm的范围内。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的制造配线板的方法,还包括以下步骤:

在进行粗糙化处理之后,在所述支撑件的粗糙表面上形成连接焊盘,

其中,所述支撑件的粗糙表面的表面形状被转印到所述连接焊盘的表面上,并且使所述连接焊盘的表面形成为粗糙表面。

8.一种制造半导体设备的方法,包括以下步骤:

形成根据权利要求1所述的配线板;以及

将半导体器件安装在所述配线板的去除了所述支撑件的表面上。

9.一种制造半导体设备的方法,包括以下步骤:

形成根据权利要求1所述的配线板;以及

将半导体器件安装在所述配线板的与去除了所述支撑件的表面相反的表面上。

10.一种制造半导体设备的方法,包括以下步骤:

对支撑件的表面进行粗糙化处理;

在所述支撑件的经过粗糙化处理的表面上设置介电层和配线层,以形成中间体;

在所述中间体的与接触所述支撑件的表面相反的表面上安装半导体器件;以及

从所述中间体上去除所述支撑件,以获得半导体设备。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的制造半导体设备的方法,

其中,所述介电层为绝缘层或阻焊层。

12.根据权利要求8至10中任一项所述的制造半导体设备的方法,

其中,所述支撑件由金属形成,并且通过蚀刻对所述支撑件的表面进行粗糙化处理。

13.根据权利要求8至10中任一项所述的制造半导体设备的方法,

其中,所述支撑件由金属形成,并且通过氧化处理设置氧化膜,以对所述支撑件的表面进行粗糙化处理。

14.根据权利要求8至10中任一项所述的制造半导体设备的方法,

其中,所述支撑件的粗糙表面的表面形状被转印到所述配线板的去除了所述支撑件的表面上的介电层的表面上,并且使所述介电层的表面形成为粗糙表面。

15.根据权利要求8至10中任一项所述的制造半导体设备的方法,

其中,所述支撑件的粗糙表面的粗糙度在300nm≤Ra≤800nm和3.5μm≤Rz≤7μm的范围内。

16.根据权利要求8至10中任一项所述的制造半导体设备的方法,还包括以下步骤:

在进行粗糙化处理之后,在所述支撑件的粗糙表面上形成连接焊盘,

其中,所述支撑件的粗糙表面的表面形状被转印到所述连接焊盘的表面上,并且使所述连接焊盘的表面形成为粗糙表面。

17.一种包括介电层和配线层的配线板,

其中,所述配线板的一个表面用作半导体器件安装表面,与所述配线板的该表面相对的另一个表面用作外部连接端子表面,以及其中,所述半导体器件安装表面的介电层的表面形成为粗糙表面。

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