[发明专利]配线板、半导体设备以及制造配线板和半导体设备的方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于半导体设备或半导体封装中的配线板，以及制造这种配线板的方法。更具体地说，本发明涉及通过以下方法形成的配线板以及制造这种配线板的方法，即：在制造中使用用于加固的支撑件，并通过积层法在支撑件上设置绝缘层和配线层，然后去除该支撑件。此外，本发明还涉及使用通过上述方法形成的配线板形成的半导体设备，以及制造这种半导体设备的方法。

背景技术

在制造配线板时利用支撑件进行加固。作为使用支撑件制造配线板的现有技术，已知一种制造配线板的方法，其中，在支撑件的表面上设置介电层(绝缘层或阻焊层)和配线层以形成中间体，然后从该中间体上去除支撑件以获得配线板。

图1和图2示出了在通过该制造方法获得的配线板上设置半导体器件并由此获得半导体设备的实例。在图1中，例如，通过积层法交替地设置配线层10b和作为介电层的绝缘层10c形成配线板(多层配线板或半导体封装)10，然后在最顶层和最底层上形成阻焊层11。通过穿透绝缘层10c的导通部实现各个层之间的配线层10b的电连接。

图2详细示出了图1的半导体设备的半导体器件安装部分。阻焊层11设置在配线板10的最顶层，在阻焊层11的预定位置中形成开口部分，在该开口部分中形成将要通过导通部与配线板10的配线层10b电连接的连接焊盘17。

半导体器件13通过倒装芯片结合设置在配线板10上。在这种情况下，例如，通过施加焊料膏来在配线板10的连接焊盘17上设置焊料16。随后，将具有形成于端子上的凸点14的半导体器件13放置在连接焊盘17上，然后使焊料16和凸点14熔化，以便将半导体器件13与连接焊盘17电连接。然后，在半导体器件13与配线板10的阻焊层11之间填充液体底部填充树脂12并使其固化。

已知下面的文献是与本发明相关的现有技术。图1和图2中所示的作为现有技术实例所示的配线板(半导体设备)在下面的专利文献1和专利文献2有所描述，更具体地说，对应于根据专利文献2的图1(第一实施例)和图9(第九实施例)所示的实施例的多层配线板。

根据专利文献1(未经审查的日本专利申请公开出版物No.2000-323613)，公开了形成用于电连接形成在绝缘层两侧的导体配线和/或焊盘的导通部，该导通部穿透绝缘体并且形成为凹陷部，该凹陷部呈去顶圆锥形状，并且向外部连接端子一侧敞开的开口面积大于在半导体器件安装表面一侧的底部面积，以便尽可能平坦地形成安装半导体器件的安装表面，并且尽可能大地减小半导体设备的多层板的厚度。此外，还公开了在金属板与半导体器件的焊盘之间形成种晶层，以便增强半导体器件的焊盘与金属板之间的附着性。

此外，在专利文献2(未经审查的日本专利申请公开出版物No.2007-13092)中，还公开了在支撑基板上形成第一阻焊层，在第一阻焊层上形成第一开口部分，在第一开口部分上形成半导体器件安装电极，在安装电极上形成绝缘层，以及在绝缘层上形成将要与电极连接的配线部分。随后，在配线部分中形成第二阻焊层，在第二阻焊层上形成第二开口部分，以便获得厚度减小并且对应于高密度配线的配线板。专利文献2还公开了去除支撑件以获得配线板。

[专利文献1]未经审查的日本专利申请公开出版物No.2000-323613)

[专利文献2]未经审查的日本专利申请公开出版物No.2007-13092

如上文所述，例如，根据图1和图2所示的现有技术的半导体设备，在配线板10的与支撑件接触的表面上的阻焊层11的表面设为半导体器件13的安装表面27的情况下，阻焊层11的表面过于平坦，并且阻焊层11的可湿性不足。在这种情况下，可能会如图2所示在底部填充树脂12中产生空隙15，并且会在底部填充树脂12与作为介电层的阻焊层11之间引起剥离。相反，在阻焊层11的可湿性过于充足的情况下，底部填充树脂12会过多地流到配线板10上。因此，导致成品半导体封装的外表缺陷。

如上文所述，在图1和图2所示的现有技术的配线板(半导体设备)中，介电层(绝缘层和阻焊层)和配线层简单地设置在支撑件上以形成中间体，然后从中间体上去除支撑件以获得配线板。一般来说，未进行任何处理的金属板或金属箔的表面非常平坦。因此，在用金属板或金属箔作为支撑件并且将配线板的去除支撑件的表面设为半导体器件安装表面的情况下，阻焊层的表面过于平坦。因此，阻焊层和底部填充树脂的可湿性不足，因而在底部填充树脂中产生空隙。