[发明专利]导电膜结构

权利要求书

1.一种导电膜结构，其特征在于，包含：

一基板；

一多层膜结构，该多层膜结构设置于该基板的一面，该多层膜结构包含至少两层导电层及至少一层绝缘层，该绝缘层与该导电层相互穿插堆栈，且该绝缘层为不连续的薄膜，以供位于该绝缘层相对两面的导电层透过该绝缘层的不连续部位相互接触电性导通。

2.如权利要求1所述的导电膜结构，其特征在于：其设有复数层导电层，以及与该复数层导电层数目相同的复数层绝缘层，以供该复数层绝缘层与该复数层导电层相互穿插堆栈形成一多层膜结构，该多层膜结构具有两面，其中一面为绝缘层，另一面为导电层，且该多层膜结构的绝缘层一面与该基板相互贴附。

3.如权利要求1所述的导电膜结构，其特征在于：其设有复数层导电层，以及比该复数层导电层数目少一层的复数层绝缘层，以供该复数层绝缘层与该复数层导电层相互穿插堆栈形成一多层膜结构，该多层膜结构的两面均为导电层，且该多层膜结构的其中一面与该基板相互贴附。

4.如权利要求1所述的导电膜结构，其特征在于：该基板由聚乙烯对苯二甲酸酯(PET，Polyethylene Terephthalate)、玻璃、压克力、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)或聚酰亚胺(PI，Polyimide)所制成。

5.如权利要求1所述的导电膜结构，其特征在于：该导电层由氧化铟锡(ITO，Indium Tin Oxide)、氧化铟锌(IZO，Indium Zinc Oxide)、氧化锌铝(AZO，Al-doped ZnO)、氧化锌(ZnO，Zinc Oxide)或氧化锡(SnO，Tin Oxide)所制成。

6.如权利要求1所述的导电膜结构，其特征在于：各该导电层厚度为位于3nm～10nm的范围内。

7.如权利要求1所述的导电膜结构，其特征在于：该绝缘层由二氧化硅(SiO₂)、二氧化钛(TiO₂)、五氧化二钽(Ta₂O₅)、二氧化锡(SnO₂)或三氧化二铝(Al₂O₃)所制成。

8.如权利要求1所述的导电膜结构，其特征在于：各该绝缘层厚度为位于0.2nm～2nm的范围内。

9.如权利要求1所述的导电膜结构，其特征在于：该基板、导电层及绝缘层均具有透明性。

10.如权利要求1所述的导电膜结构，其特征在于：其是透过绕卷(Roll to Roll)方式，将该导电层及绝缘层交互溅镀于基板。

11.如权利要求1所述的导电膜结构，其特征在于：该绝缘层是采用溅镀镀膜方式形成不连续薄膜。