[发明专利]导电膜结构

说明书

技术领域

本发明有关于一种导电膜结构，尤指一种于基板相互穿插堆栈有多层导电层与绝缘层，且该绝缘层为不连续的薄膜，使得位于该绝缘层相对两面的导电层可透过该绝缘层的不连续部位相互接触电性导通的导电膜结构。

背景技术

由于触控式面板的蓬勃发展，导致触控面板专用的导电基板需求量大幅增加，然欲制作电阻式触控面板专用的氧化铟锡(ITO，Indium TinOxide)透明导电膜，必须将氧化铟锡膜的阻值提高至数百欧姆，而为达成此目的，氧化铟锡膜厚度必须减薄至数十纳米，因此在薄膜制作过程中如何维持其平整度以及阻值平均分布将是一大问题，且目前为止，尚未能够有一种较适合的透明导电薄膜可取代现有的氧化铟锡膜。

请参阅图1所示习知氧化铟锡导电膜的结构，该导电膜10主要是于基板11上设有一二氧化硅(SiO₂)层12，然后再于该二氧化硅层12上成长一氧化铟锡层13，藉此构成一透明的导电膜10。该基板11的材质通常为聚乙烯对苯二甲酸酯(Polyethylene Terephthalate，PET)，该二氧化硅层12可以其它绝缘氧化物替代，该氧化铟锡层13则作为导电层。该二氧化硅层12的作用在于作为阻隔层，防止该氧化铟锡层13与基板11产生变化，一般而言，该二氧化硅层12的厚度大约位于10nm～50nm的范围内，根据不同设计会有不同结构。由于必须将导电膜10面阻值提高到200～500欧姆左右，因此该氧化铟锡层13的厚度大约仅为数十nm而已，然而因为氧化铟锡层13厚度过小，相对稳定性也较差，且膜厚的控制也较为困难，因而影响到面阻值的变化。

因此，如何有效解决氧化铟锡膜厚及平整度问题，同时在不影响稳定性下完成高面阻值的导电膜制作，是电阻式触控面板制造及应用等相关领域一重要课题。

发明内容

有鉴于习知技术的缺失，本发明的目的在于提出一种导电膜结构，可提高导电膜面阻值，且可避免因为导电层过薄而导致导电层不稳定或剥落的情况。

为达到上述目的，本发明提出一种导电膜结构，该导电膜是由一基板以及一多层膜结构构成，该多层膜结构包含至少两层导电层及至少一层绝缘层，且该绝缘层与该导电层相互穿插堆栈贴附于该基板，该绝缘层为不连续的薄膜，使得位于该绝缘层相对两面的导电层可透过该绝缘层的不连续部位相互接触电性导通。

为能对于本发明的结构目的和功效有更进一步的了解与认同，兹配合图示详细说明如后。

附图说明

图1为习知氧化铟锡导电膜的结构示意图。

图2至图4为本发明不同实施例的结构示意图。

图5A～图5C为溅镀镀膜流程的结构示意图。

图6为本发明实施例的放大结构示意图。

图7为不同导电层及绝缘层组合与面阻值变化关系表。

图8为依据图7实施例A～E二氧化硅厚度及所得导电膜面阻值变化曲线表。

主要组件符号说明

10-导电膜

11-基板

12-二氧化硅层

13-氧化铟锡层

20、30、40、60-导电膜

21、31、41、51、61-基板

22a、22b、32、42a～42d、52、62a、62b-绝缘层

23a、23b、33a、33b、43a～43d、63a～63c-导电层

具体实施方式

以下将参照随附的图式来描述本发明为达成目的所使用的技术手段与功效，而以下图式所列举的实施例仅为辅助说明，以利了解，但本发明的技术手段并不限于所列举图式。

请参阅图2所示本发明所提供的导电膜结构的一实施例，该导电膜20包含一基板21，于该基板21的一面设有一多层膜结构，该多层膜结构是由两层绝缘层22a、22b及两层导电层23a、23b相互穿插堆栈而成，以绝缘层22a为底层，再依序叠设一导电层23a、一绝缘层22b及一导电层23b，使得该多层膜结构的一面为绝缘层22a，另一面为导电层23b，且该绝缘层22a与该基板21相互贴附，亦即该导电膜20的一面为基板21，另一面为导电层23b。该绝缘层22a、22b及导电层23a、23b透过绕卷(Roll to Roll)方式交互溅镀于基板21，且该绝缘层22a、22b为不连续的薄膜，使得位于该绝缘层22a、22b相对两面的导电层23a、23b可透过该绝缘层22a、22b的不连续部位相互接触电性导通，其原理将详述于后。