[发明专利]紫外线照射方法及使用了该方法的装置无效
申请号: | 200810170201.0 | 申请日: | 2008-10-09 |
公开(公告)号: | CN101409225A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 山本雅之;长谷幸敏;松下孝夫;金岛安治 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 紫外线 照射 方法 使用 装置 | ||
1.一种紫外线照射方法,对粘贴在半导体晶圆的表面上的 紫外线固化型保护带进行剥离处理之前,对保护带照射紫外线 来降低其粘合力,上述方法包括如下过程:
对上述保护带粘贴面和半导体晶圆的周缘部照射紫外线, 使向该周缘部照射的紫外线的照射强度高于向保护带粘贴面照 射的紫外线的照射强度。
2.根据权利要求1所述的紫外线照射方法,
从上述半导体晶圆的侧方向晶圆边缘局部照射紫外线,并 且使紫外线和半导体晶圆在晶圆周向相对移动。
3.根据权利要求2所述的紫外线照射方法,
使半导体晶圆的保护带粘贴面的每单位面积的紫外线照射 量与晶圆边缘的每单位面积的紫外线照射量相同。
4.根据权利要求1所述的紫外线照射方法,
同时向半导体晶圆的保护带粘贴面和晶圆边缘进行紫外线 照射。
5.根据权利要求1所述的紫外线照射方法,
将半导体晶圆载置到对准台的保持台上,在进行位置对准 的旋转动作中对晶圆边缘照射紫外线。
6.一种紫外线照射装置,对粘贴在半导体晶圆的表面上的 紫外线固化型保护带进行剥离处理之前,对保护带照射紫外线 来降低其粘合力,上述装置包括如下结构要素:
保持部件,其载置保持粘贴有保护带的半导体晶圆;
主紫外线照射部件,其从载置保持的半导体晶圆的上方对 保护带表面照射紫外线;及
辅助紫外线照射部件,其对保护带周缘部照射的紫外线的 强度高于照射到保护带表面上的紫外线的强度。
7.根据权利要求6所述的紫外线照射装置,
上述辅助紫外线照射部件由从上述半导体晶圆的侧方向晶 圆边缘局部照射紫外线的照射器构成,
上述紫外线照射装置具有扫描部件,该扫描部件使照射器 和半导体晶圆在晶圆周向相对移动。
8.根据权利要求7所述的紫外线照射装置,
上述主紫外线照射部件具有开口直径大于半导体晶圆直径 的遮光罩,
上述遮光罩的下端具有辅助紫外线照射部件,
具有控制装置,该控制装置在半导体晶圆上方的退避位置 和遮光罩的下端位于半导体晶圆的表面高度的作用位置之间使 主紫外线照射部件和遮光罩升降,并且在作用位置从辅助紫外 线照射部件对晶圆边缘照射紫外线。
9.根据权利要求8所述的紫外线照射装置,
上述控制装置构成为同时进行由主紫外线照射部件向保护 带表面照射紫外线和由辅助紫外线照射部件向晶圆边缘照射紫 外线。
10.根据权利要求7所述的紫外线照射装置,
上述主紫外线照射部件具有开口直径大于半导体晶圆直径 的遮光罩,
具有:
箱型遮断壁,其收纳上述主紫外线照射部件和遮光罩,在 下端具有辅助紫外线照射部件,在下端具有可在半导体晶圆上 方的退避位置和对晶圆边缘照射紫外线的作用位置之间进行升 降的筒型可动遮断壁,
控制装置,其使主紫外线照射部件、遮光罩及可动遮断壁 在退避位置和作用位置之间升降,并且在作用位置从辅助紫外 线照射部件对晶圆边缘照射紫外线。
11.根据权利要求10所述的紫外线照射装置,
上述控制装置构成为同时进行由主紫外线照射部件向保护 带表面照射紫外线和由辅助紫外线照射部件向晶圆边缘照射紫 外线。
12.根据权利要求6所述的紫外线照射装置,
上述辅助紫外线照射部件是利用光纤对照射器和紫外线发 生装置进行连接而构成的。
13.根据权利要求6所述的紫外线照射装置,
上述辅助紫外线照射部件由紫外线发光二极管构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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