[发明专利]紫外线照射方法及使用了该方法的装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种对粘贴到半导体晶圆表面的紫外线固化 型保护带进行剥离处理之前对保护带照射紫外线来降低其粘合 力的紫外线照射方法及使用了该方法的装置。

背景技术

作为对半导体晶圆(下面，简称为“晶圆”)进行薄型加工的 部件，利用磨削、研磨等机械方法或利用了蚀刻的化学方法等 对晶圆的背面进行加工来使其厚度变薄。另外，当利用这些方 法对晶片进行加工时，为了保护形成有配线图案的晶圆表面， 在其表面粘贴有保护带。粘贴有保护带并进行研磨处理后的晶 圆也被配置到环形框中央，整个环形框和晶圆背面粘贴有支撑 用粘合带。其后，从在环形框中保持的晶圆的表面剥离保护带。

作为剥离这种保护带的方法，可知有在保护带的表面粘贴 粘合力较强的剥离带、并通过剥离该剥离带，从晶圆表面将保 护带和剥离带一体地剥离(参照日本特开平5-63077号公报)。

在上述保护带剥离方法中，保护带利用了紫外线固化型保 护带。也就是说，在对保护带整体照射紫外线来降低保护带的 粘合力之后，转移到使用剥离带的剥离处理。然而，在该方法 中产生了如下问题。

在对晶圆表面粘贴保护带的过程中，在对晶圆整体粘贴比 晶圆直径还宽的保护带之后，沿着晶圆外周切断保护带。此时， 保护带的粘接剂有可能露出晶圆边缘。

一边清除氮等惰性气体一边照射紫外线，由此即使在这种 状态下也能够使从晶圆边缘露出的粘接剂固化来降低粘合力。 然而，在对大量的晶圆进行紫外线处理的情况下，清除的惰性 气体被放出到操作工序内的空气中而成为高浓度。

另外，在粘接剂所露出的部分的粘合力没有降低的状态下 剥离保护带时，存在过度的剥离应力集中到晶圆边缘而使其破 损或晶圆边缘残留粘接剂这种问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种紫外线照射方法及使用了该 方法的装置，均匀地对紫外线固化型保护带的粘接剂进行固化， 能够形成高精度地剥离保护带的状态。

本发明者等为了可靠地固化从晶圆露出的粘接剂来降低 粘合力而专心研究的结果，得到了如下那样的见解。

即，为了不对惰性气体进行清除而在对空气开放状态下固 化粘接剂，反复进行了多次实验。其结果，得到了如下见解： 将紫外线的强度高于照射到保护带的由基材覆盖的粘接剂的强 度的紫外线局部照射到露出的粘接剂的部分，由此与基材被覆 部分相同地加速固化而能够降低粘合力，成为均匀的粘接强度。 根据该见解，本发明人等将剥离带粘贴在紫外线处理后的保护 带上后再进行剥离，由此能够不使晶圆破损、在晶圆边缘不残 留粘接剂的残渣地剥离保护带。

本发明为了达到这种目的，采用了如下构成。

一种紫外线照射方法，对粘贴在半导体晶圆的表面上的紫 外线固化型保护带进行剥离处理之前，对保护带照射紫外线来 降低其粘合力，上述方法包括如下过程：

对上述保护带粘贴面和半导体晶圆的周缘部照射紫外线， 使向该周缘部照射的紫外线的照射强度高于向保护带粘贴面照 射的紫外线的照射强度。

根据本发明的紫外线照射方法，即使从上述半导体晶圆的 边缘露出粘接剂，也由于照射强度高于照射到带整个面上的紫 外线的强度的紫外线，因此能够使所有粘接剂以大致相同程度 固化，降低其粘合力。因此，在后面工序中进行保护带剥离处 理时，能够消除晶圆破损、晶圆边缘的粘接剂的残渣。

此外，在上述方法发明中，优选从上述半导体晶圆的外周 部位向晶圆边缘局部照射紫外线，并且使紫外线和半导体晶圆 在晶圆周向相对移动。

根据该方法，能够对保护带的周缘部、露出晶圆的粘接剂 集中照射强度较高的紫外线。即，能够最佳实施上述方法。

另外，在上述方法发明中，优选使半导体晶圆的保护带粘 贴面的每单位面积的紫外线照射量与晶圆边缘的每单位面积的 紫外线照射量相同。

根据该方法，保护带剥离时的剥离应力均匀，能够避免半 导体晶圆的破损。

另外，在上述方法发明中，优选同时向半导体晶圆的保护 带粘贴面和晶圆边缘进行紫外线照射。

根据该方法，与对每个照射部位分开照射紫外线相比能够 缩短处理时间。

另外，在上述方法发明中，优选将半导体晶圆载置到对准 台的保持台上，在进行位置对准的转动动作中对晶圆边缘照射 紫外线。