[发明专利]被处理体的移载机构、移载方法及其处理系统

说明书

相关申请的参考

本专利申请享受2007年10月19日提出的作为日本专利的特願 2007-272625的利益。通过引用，这些在先申请的全部所示内容成为本 说明书的一部分。

技术领域

本发明涉及将被处理体从收纳有半导体晶片等被处理体的收纳盒 移载到被处理体移载区域内的被处理体舟，并对被处理体实施热处理 的处理系统、被处理体的移载机构和被处理体的移载方法。

背景技术

通常，当制造IC或LSI等半导体集成电路时，对半导体晶片反复 进行各种成膜处理，氧化扩散处理和蚀刻处理等。当进行各处理时， 必需在对应的装置间搬送半导体晶片。

在这种情况下，向每一个收容盒内各搬送收容多块、例如25块半 导体晶片。作为这种收容盒已知有：如暗盒那样以对大气开放的状态 进行搬送的收容盒；和如FOUP(注册商标)那样，为了抑制颗粒或自 然氧化膜的附着，在通过开闭盖形成为密闭状态的箱内形成N2气等惰 性气体或清洁空气的气氛的收容盒(日本特开平8-279546号公报、日 本特开平9-306975号公报、日本特开平11-274267号公报)。

另外，在处理上述收容盒的例如批量式的处理系统中，一般设置 有：利用搬送机构搬送上述收容盒的盒搬送区域，和为了热处理，将 半导体晶片从收容盒移载到晶片舟等上的被处理体移载区域(日本特 开2002-76089号公报、日本特开2003-37148号公报、日本特开平 9-213647号公报)。两区域利用分隔壁进行分隔，该分隔壁具有为了进 行晶片的交换而可开闭地形成的开口闸门。以裸露状态搬送被处理体 的上述被处理体移载区域为了防止自然氧化膜附着在晶片表面上，有 时形成惰性气体、例如N2气氛，有时形成清洁气氛。

然而，在上述被处理体移载区域中，将上述的例如收容有25块晶 片的收容盒内的晶片，利用晶片移载机构移载至作为由石英等构成的 被处理体舟的晶片舟上。该晶片舟，可以相等的间距，分多层保持多 块、例如50～150块晶片等，另外同样，当对晶片的热处理结束时，利 用上述移载机构，与上述相反，将晶片从晶片舟移载到收容盒中。

一般，作为在立式热处理装置中使用的石英制的晶片舟，已知有 所谓的梯子型的晶片舟和所谓的圆环型的晶片舟(日本特开平 9-213647号公报等)。其中，梯子型晶片舟在构成晶片舟的支柱上形成 支撑晶片边缘的晶片支撑槽部。另外，圆环形晶片舟在支柱间分多层 架设有的圆环状的载置台，在各载置台上形成支撑晶片边缘的支撑爪 部。另外，在最近，因为气体流的控制性好，膜厚等的面内均匀性比 较好的理由，多使用上述圆环形晶片舟。

另外，由于要求提高生产率，提出了用于以高速搬送晶片的移载 机构。即，提出了设置有在移载机构的叉上夹紧晶片的机构，在使晶 片在叉上没有位置偏移地夹紧的状态下，以高速搬送晶片的移载机构 (例如日本特开2005-286619号分报)。

这里，参照图13，对使用具有夹紧机构的晶片移载机构将晶片移 载至圆环型晶片舟上的现有的移载方法进行说明。在图13中，晶片舟 2具有多个圆环状的载置台4。在图中没有示出的支柱上，空出规定的 间距P1沿上下方向分多层地设置该各载置台4。另外，在该各载置台 4的上面侧上设置有例如3个支撑爪部6(在图示例子中只表示2个)， 在该支撑爪部6上载置半导体晶片W。

另外，晶片移载机构的叉8的前端分成2股状，可前进、后退和 上下运动。晶片W被支撑在该叉8上。在该叉8的前端部设有档块构 件10。另一方面，在叉8的基端上设置例如具有利用气缸可以前进和 后退的压紧部12的夹紧装置14。通过将晶片W夹紧在上述档块构件 10和压紧部12之间，可以在这种状态下高速搬送晶片W。

例如，在将叉8上的晶片W向晶片舟2移载的情况下，将晶片W 夹紧在按压部12和止挡部件10之间。在这种状态下，将叉8插入载 置台4之间，同时，使按压部12稍微后退，解除夹紧。在这种状态 下，通过使叉8稍微下降，将叉8上的晶片移载在载置台4的支撑爪 部6上，然后，使叉8后退。

[专利文献1]：日本特开平8-279546号公报

[专利文献2]：日本特开平9-306975号公报

[专利文献3]：日本特开平11-274267号公报

[专利文献4]：日本特开2002-76089号公报

[专利文献5]：日本特开2003-37148号公报