[发明专利]硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅型与非门闪存的擦除法

权利要求书

1.一种操作一介电电荷捕捉存储单元的方法，该介电电荷捕捉存储 单元具有一阈值电压且包括一衬底，该衬底包括一沟道区、位于该沟道区 上的一介电电荷捕捉结构以及位于该介电电荷捕捉结构上的一栅极，其特 征在于，该方法包括：

在一预定期间内，由该栅极至该存储单元的该衬底之间施加一初始电 压，以降低该存储单元的该阈值电压；以及

由该栅极至该存储单元的该衬底之间施加一连串的电压，以进一步降 低该存储单元的该阈值电压，其中该一连串的电压中的一后续电压的大小 是小于该一连串的电压中的一先前电压的大小。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该施加一初始电压的 步骤与该施加一连串的电压的步骤是可诱发由该衬底至该介电电荷捕捉 结构的富勒-诺丁汉空穴隧穿，以降低该存储单元的该阈值电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该施加一连串的电压 的步骤包括降低该一连串的电压中相连续的电压间的该电压大小。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该施加一连串的电压 的步骤更包括：

于该一连串的电压中相连续的电压间改变该栅极的电压并维持该衬 底的电压，或者

于该一连串的电压中相连续的电压间改变该衬底的电压并维持该栅 极的电压。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该施加一连串的电压 的步骤更包括：

由该栅极至该衬底之间施加该一连串的电压中的一第一电压，其中该 第一电压的大小为该初始电压减去一预定电压值；以及

于该第一电压施加后，由该栅极至该衬底之间施加该一连串的电压中 的个别电压，该个别电压的大小为该一连串的电压中一紧邻在先电压的大 小减去该预定电压值。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该施加一连串的电压 的步骤更包括：在该预定期间内，施加该一连串的电压中的每一个电压。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：

由该栅极至该衬底的该初始电压介于-10至-20伏特；

该预定电压值介于0.2至1.0伏特；以及

该预定期间介于0.5至3毫秒。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该施加一连串的电压 的步骤更包括：

在第一段期间内，由该栅极至该衬底之间施加该一连串的电压中的该 第一电压，该第一段期间为该预定期间加上一第二预定期间；以及

于该第一电压施加后，在第二段期间内施加该一连串的电压中的个别 电压，此第二段期间为该一连串的电压中一紧邻在先电压的施加期间加上 该第二预定期间。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：

由该栅极至该衬底的该初始电压介于-10至-20伏特；

该预定电压值介于0.2至1.0伏特；

该预定期间介于0.5至3毫秒；以及

该第二预定期间介于0.5至2毫秒。

10.一种存储器元件，其特征在于，包括：

一介电电荷捕捉存储单元，其具有一阈值电压且包括一衬底，该衬底 包括一沟道区、位于该沟道区上的一介电电荷捕捉结构以及位于该介电电 荷捕捉结构上的一栅极；以及

一偏压调整状态机构，用以施加一偏压配置以调整该存储单元，该偏 压配置包括：

一初始电压，是由该栅极至该存储单元的该衬底之间进行施加一预定 期间，以降低该存储单元的该阈值电压；以及

一连串的电压，是由该栅极至该存储单元的该衬底之间进行施加，以 进一步降低该存储单元的该阈值电压，其中该一连串的电压中的一后续电 压的大小是小于该一连串的电压中的一先前电压的大小。

11.根据权利要求10所述的元件，其特征在于，该偏压配置是可诱 发由该衬底至该介电电荷捕捉结构的富勒-诺丁汉空穴隧穿，以降低该存储 单元的该阈值电压。