[发明专利]平板显示器的制备方法有效
申请号: | 200810171022.9 | 申请日: | 2006-07-14 |
公开(公告)号: | CN101419944A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 崔泰荣;金俊亨;宋根圭;洪雯杓 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L51/40;H01L27/28;H01L51/05 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李昕巍 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 显示器 制备 方法 | ||
1.一种制造平板显示器的方法,包括如下步骤:
制备绝缘基板;
在所述绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域;
在所述源电极和漏电极上形成第一钝化层;
在所述第一钝化层上形成具有对应于所述沟道区域的开口的金属层;
通过使用所述金属层作为掩模在所述第一钝化层中形成沉积开口来通 过所述第一钝化层的沉积开口暴露所述沟道区域;
在所述沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层;以及
去除所述金属层。
2.根据权利要求1的方法,其中通过剥离工艺进行去除所述金属层的 步骤。
3.根据权利要求2的方法,其中所述剥离工艺使用不影响所述第二钝 化层的蚀刻剂进行。
4.根据权利要求1的方法,其中通过湿法蚀刻工艺形成所述沉积开口。
5.根据权利要求1的方法,其中所述沉积开口具有大于所述金属层的 开口的宽度。
6.根据权利要求1的方法,其中与所述第一钝化层相比,所述金属层 的至少部分还在一方向上向所述沉积开口延伸。
7.根据权利要求1的方法,还包括在形成所述源电极和漏电极之前在 所述绝缘基板上形成数据线的步骤。
8.根据权利要求7的方法,还包括形成具有第一接触开口以暴露至少 部分所述数据线的层间绝缘层的步骤。
9.根据权利要求8的方法,还包括在沟道区域上形成对应于所述层间 绝缘层的栅电极的步骤。
10.根据权利要求9的方法,还包括在所述栅电极和所述源电极及漏电 极之间形成栅极绝缘膜的步骤。
11.根据权利要求1的方法,其中所述有机半导体层通过喷墨方法形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造