[发明专利]平板显示器的制备方法有效

专利信息
申请号: 200810171022.9 申请日: 2006-07-14
公开(公告)号: CN101419944A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: 崔泰荣;金俊亨;宋根圭;洪雯杓 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L51/40;H01L27/28;H01L51/05
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李昕巍
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 平板 显示器 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种制造平板显示器的方法,包括如下步骤:

制备绝缘基板;

在所述绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域;

在所述源电极和漏电极上形成第一钝化层;

在所述第一钝化层上形成具有对应于所述沟道区域的开口的金属层;

通过使用所述金属层作为掩模在所述第一钝化层中形成沉积开口来通 过所述第一钝化层的沉积开口暴露所述沟道区域;

在所述沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层;以及

去除所述金属层。

2.根据权利要求1的方法,其中通过剥离工艺进行去除所述金属层的 步骤。

3.根据权利要求2的方法,其中所述剥离工艺使用不影响所述第二钝 化层的蚀刻剂进行。

4.根据权利要求1的方法,其中通过湿法蚀刻工艺形成所述沉积开口。

5.根据权利要求1的方法,其中所述沉积开口具有大于所述金属层的 开口的宽度。

6.根据权利要求1的方法,其中与所述第一钝化层相比,所述金属层 的至少部分还在一方向上向所述沉积开口延伸。

7.根据权利要求1的方法,还包括在形成所述源电极和漏电极之前在 所述绝缘基板上形成数据线的步骤。

8.根据权利要求7的方法,还包括形成具有第一接触开口以暴露至少 部分所述数据线的层间绝缘层的步骤。

9.根据权利要求8的方法,还包括在沟道区域上形成对应于所述层间 绝缘层的栅电极的步骤。

10.根据权利要求9的方法,还包括在所述栅电极和所述源电极及漏电 极之间形成栅极绝缘膜的步骤。

11.根据权利要求1的方法,其中所述有机半导体层通过喷墨方法形成。

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