[发明专利]平板显示器的制备方法

说明书

本申请是2006年7月14日提交的第200610106394.4号专利申请的分案 申请。

技术领域

本发明涉及一种制备平板显示器的方法，更特别地，本发明涉及能够减 小对有机薄膜晶体管(“TFT”)的特性的损害的平板显示器。

背景技术

平板显示器(“FPD”)包括具有TFT的TFT基板，这些TFT作为开关 和驱动装置用于控制和驱动每个像素的操作。TFT包括栅电极、源电极和漏 电极以及半导体层，其中源电极和漏电极由栅电极分离开从而界定沟道区 域。半导体层通常由非晶硅或多晶硅形成。但是，现在有机半导体可以获得， 并提供了可以在室温和大气压下形成的优点，而且可以施加到不耐热的塑料 基板上。但是，有机半导体有着差的耐化学性和耐等离子体性。为了解决这 个问题，已经提出了在形成栅极、源极和漏极之后通过将厚的半导体层插入 到电极和有机半导体层之间来形成有机半导体层。然后，可以通过使用钝化 层将有机半导体层构图，由此仅在沟道区域上保留有机半导体层。

在构图工艺中，将钝化层涂覆在有机半导体层的整个表面上，仅暴露对 应于沟道区域的层。但是，可能的是，有机半导体层可能受到构图中使用的 化学品的侵袭，所以钝化层必须由不会不利地影响有机半导体层的材料形 成。这种希望的材料作为涂层可能有问题。

当构图有机半导体层时，由钝化层涂覆的部分有机半导体层被安全地保 护。但是，由于有机半导体层的两侧没有被钝化层涂覆而暴露，所以它们可 能受到构图钝化层时使用的化学品的侵袭。而且，如果在构图时使用的蚀刻 工艺进行来减小对暴露的侧面的侵袭，则构图可能使得一些有机半导体暴露 在像素电极上，导致产品缺陷。

发明内容

本发明提供了一种制备平板显示器的方法，该显示器使用耐受处理损害 的有机TFT。根据本发明的方法，源电极和漏电极形成在绝缘基板上从而在 它们之间界定沟道区域；在源电极和漏电极上形成第一钝化层；具有对应于 沟道区域的开口的金属层形成在第一钝化层上来作为掩模；沟道区域通过第 一钝化层中的开口暴露；有机半导体层和第二钝化层依次通过沉积开口而沉 积；除了在沉积开口中存在的留下之外去除金属层、有机半导体层和第二钝 化层。

根据本发明的实施方式，通过剥离工艺进行去除金属层、有机半导体层 和第二钝化层的步骤，使用基本上不影响第二钝化层的蚀刻剂进行该剥离工 艺。有利的是，同时去除金属层和在该金属层上的上层。

本发明还获得了一种平板显示器，其包括：绝缘基板；源电极和漏电极， 形成在绝缘基板上并彼此分隔开以界定沟道区域；第一钝化层，形成在源电 极和漏电极上从而具有暴露源电极和漏电极每个的至少一部分的沉积开口； 形成在沉积开口上的有机半导体层；以及第二钝化层，形成在有机半导体层 并且具有与第一钝化层不同的高度。根据本发明的该实施方式的一方面，第 二钝化层的高度比第一钝化层的低。

附图说明

结合附图，从下面对示范性实施方式的说明本发明的上述和/或其他方面 和优点将变得清楚和更易于理解，在附图中：

图1是根据本发明的第一实施方式的TFT基板的平面图。

图2是沿图1的线II-II的剖面图。

图3A到3K是依次形成根据本发明的第一实施方式的制造TFT基板的 方法的剖面图。

图4是根据本发明的第二实施方式的制备TFT基板的方法的示意图。

具体实施方式

下面将详细地对本发明的示范性实施方式进行说明，在附图中对本发明 的示例进行说明，其中通篇类似的参考标号指代类似的元件。通过参考附图 对实施方式进行说明以解释本发明。在附图中，为了清楚夸大了层、膜和区 域的厚度和大小。应该理解，当提及比如层、膜、区域或基板的元件在(形 成于)另外的元件“上”时，它可以直接在其他元件上，或者也可以存在中 间元件。