[发明专利]高纯钽及如溅射靶的含高纯钽的制品

权利要求书

1.一种钽金属，其具有a)平均晶粒大小50微米或更低；和b)(100)极 像图中心峰强度等于或低于15random的钽金属厚度织构；和c)大于-4.0的 (111)∶(100)中心峰强度比的对数。

2.权利要求1的钽金属，其具有25至50微米的平均晶粒大小。

3.权利要求1的钽金属，其中所述的金属具有至少99.995％钽的纯度。

4.权利要求1的钽金属，其中所述的金属具有99.999％钽的纯度。

5.权利要求1的钽金属，其中所述的金属是完全再结晶的。

6.权利要求3的钽金属，其中所述的金属是完全再结晶的。

7.权利要求4的钽金属，其中所述的金属是完全再结晶的。

8.权利要求1的钽金属，其中所述金属的80％或更多是再结晶的。

9.权利要求1的钽金属，其中所述的比的对数为-4.0至15。

10.一种包含权利要求1的钽金属的物品。

11.一种包含权利要求4的钽金属的物品。

12.一种包含权利要求1的钽金属的溅射靶。

13.一种包含权利要求4的钽金属的溅射靶。

14.一种溅射靶，包括溅射靶形状的钽金属，其具有以下特征：a)平均 晶粒大小为100微米或更低，b)其织构为在基本上无(100)织构带的情况下， (111)∶(100)中心峰强度比的对数大于-2.0；其中钽金属为纯度至少99.995％的 钽。

15.权利要求14的溅射靶，其中钽金属的平均晶粒大小为25-50微米。

16.权利要求14的溅射靶，其中(111)∶(100)中心峰强度比的对数大于 -1.0。

17.权利要求14的溅射靶，其中所述的金属是完全再结晶的。

18.权利要求14的溅射靶，其中钽金属为纯度至少99.999％的钽。

19.权利要求18的溅射靶，其中所述的金属是完全再结晶的。

20.权利要求14的溅射靶，其中所述的金属是完全再结晶的。

21.权利要求14的溅射靶，其中所述金属的80％或更多是再结晶的。

22.一种钽金属，其纯度为至少99.995％，平均晶粒大小为150微米或 更低，在钽金属整个厚度具有均匀的主(111)织构。

23.权利要求22的钽金属，其中所述的金属是完全再结晶的。

24.权利要求22的钽金属，其中所述的金属是至少部分再结晶的。

25.权利要求22的钽金属，其中所述金属的98％或更多是再结晶的。

26.权利要求22的钽金属，其中所述金属的80％或更多是再结晶的。

27.权利要求22的钽金属，其具有99.995％至99.999％的纯度。

28.一种溅射靶，其平均晶粒大小为150微米或更少，该溅射靶的整个 厚度内具有均匀的主(111)织构，其中所述溅射靶含纯度至少为99.995％ 的钽。

29.权利要求28的溅射靶，其中所述溅射靶具有50ppm或更少的金属 杂质。

30.权利要求29的溅射靶，还含有50ppm或更少的O₂，25ppm或更少 的N₂，以及25ppm或更少的碳。

31.权利要求28的溅射靶，具有10ppm或更少的金属杂质。