[发明专利]形成至少一层介电层的方法和系统

权利要求书

1.一种结构的形成方法，包括：

横跨衬底表面形成至少一个部件；

在所述至少一个部件上方形成含氮介电层；

以第一速率去除所述至少一个部件的至少一个侧壁上的第一部分含氮 层，以第二速率去除与所述至少一个部件的底部区域邻近的衬底上方的第二 部分含氮层，该第一速率大于该第二速率；以及

在该含氮介电层上方形成介电层。

2.根据权利要求1的方法，其中形成至少一个部件包括形成至少一个 晶体管栅极。

3.根据权利要求2的方法，所述方法还包括：

在衬底中形成与所述至少一个晶体管栅极邻近的至少一个接触区域；以 及

在所述至少一个晶体管栅极的至少一个侧壁上形成至少一个介电间隔 部。

4.根据权利要求1的方法，其中去除所述第一部分含氮介电层和第二 部分含氮介电层还包括以第三速率去除所述至少一个部件上方的第三部分 含氮介电层，该第三速率与该第二速率的比为2∶1或更高。

5.根据权利要求1的方法，其中形成含氮介电层包括形成氮化硅SiN 层或氮氧化硅SiON层。

6.根据权利要求1的方法，其中形成含氮介电层包括形成氮碳化硅SiCN 层。

7.根据权利要求6的方法，还包括将SiCN层氧化成氮氧化硅层。

8.根据权利要求1的方法，其中去除第一部分含氮介电层和第二部分 含氮介电层包括：

产生含氟等离子体；

使含氟等离子体与该第一部分含氮介电层、第二部分含氮介电层相互作 用以生成副产物；以及

热处理该副产物以去除所述第一部分含氮介电层和所述第二部分含氮 介电层。

9.根据权利要求8的方法，其中利用选自三氟化氮NF₃、四氟化硅SiF₄、 四氟甲烷CF₄、氟化甲烷CH₃F、二氟甲烷CH₂F₂、三氟甲烷CHF₃、八氟丙 烷C₃F₈和六氟乙烷C₂F₆组成的集合中的前驱体产生含氟等离子体。

10.根据权利要求8的方法，其中使含氟等离子体与所述第一部分含氮 介电层和所述第二部分含氮介电层相互作用包括在温度在-100℃到1,000℃ 之间的基座上放置衬底。

11.根据权利要求8的方法，其中热处理副产物包括升华该副产物。

12.根据权利要求8的方法，其中热处理副产物具有-50℃到1,000℃之 间的处理温度。

13.根据权利要求8的方法，所述方法还包括升降衬底以使所述衬底靠 近喷头。

14.一种晶体管的形成方法，所述方法包括：

在衬底上方形成至少一个晶体管栅极；

在所述至少一个晶体管栅极的侧壁上形成至少一个介电间隔部；

在衬底中形成邻近所述晶体管栅极的至少一个接触区域；

在所述至少一个晶体管栅极上方形成含氮介电层；

以第一速率去除所述至少一个晶体管栅极的至少一个侧壁上的第一部 分含氮层，以第二速率去除与所述至少一个晶体管栅极的底部区域邻近的衬 底上方的第二部分含氮层，其中该第一速率大于该第二速率；以及

在该含氮介电层上方形成介电层。

15.根据权利要求14的方法，其中形成含氮介电层包括形成氮化硅SiN 层或氮氧化硅SiON层。

16.根据权利要求14的方法，其中形成含氮介电层包括形成氮碳化硅 SiCN层。

17.根据权利要求16的方法，所述方法还包括将SiCN层氧化成氮氧化 硅层。