[发明专利]可控等效串联电阻的去耦电容器无效

专利信息
申请号: 200810171470.9 申请日: 2008-06-13
公开(公告)号: CN101369487A 公开(公告)日: 2009-02-18
发明(设计)人: 安德鲁·P·里特;玛丽安娜·贝罗利尼;金伯利·L·范阿尔斯丁 申请(专利权)人: 阿维科斯公司
主分类号: H01G4/005 分类号: H01G4/005;H01G4/228;H01G4/30;H05K3/32;H05K1/11
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 美国南卡*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 可控 等效 串联 电阻 电容器
【权利要求书】:

1.一种多层电子元件,包括:

多个第一电极层,每个第一电极层包括第一绝缘层和第一导电层,所述第一绝缘层具有由四个边缘界定的第一表面和第二表面,所述第一导电层覆盖所述第一绝缘层的部分所述第一表面并且具有主电极区域和从所述第一导电层的主电极区域延伸至所述第一绝缘层的第一表面的至少一个边缘的至少一个延伸长度接片连接;

多个第二电极层,与所述多个第一电极层交替地堆叠并包括其镜像,每个第二电极层包括第二绝缘层和第二导电层,所述第二绝缘层具有由四个边缘界定的第一表面和第二表面,所述第二导电层覆盖所述第二绝缘层的部分所述第一表面并且具有主电极区域和从所述第二导电层的主电极区域延伸至所述第二绝缘层的第一表面的至少一个边缘的至少一个延伸长度接片连接;

第一导电端子层材料,覆盖部分所述第一电极层,并且电连接所述多个第一电极层中每一个的所述第一导电层;以及

第二导电端子层材料,覆盖部分所述第二绝缘层,并且电连接所述多个第二电极层中每一个的所述第二导电层;

其中,选择性配置所述第一和第二导电层各自的所述至少一个延伸长度接片连接从而选择性确定到这样的各导电层的各路径的有效长度,由此从所述第一导电端子层经过所述多个第一电极层和所述多个第二电极层到所述第二导电端子层形成电流路径,所述电流路径与相关电路板协作以用于为所述元件形成具有可控等效串联电阻的各电流路径。

2.如权利要求1所述的多层电子元件,其中选择性配置所述第一和第二导电层各自的所述至少一个延伸长度接片连接的长度、宽度和厚度中的至少一种以选择性确定所述元件的等效串联电阻。

3.如权利要求1所述的多层电子元件,其中所述第一和第二导电层各自的所述至少一个延伸长度接片连接选择性配置为分别延伸至相关的所述绝缘层的第一表面的至少两个边缘。

4.如权利要求1所述的多层电子元件,其中所述第一导电端子层材料和所述第二导电端子层材料配置成在其间沿着所述第一和第二电极层两者的部分所述至少一个边缘形成间隙,由此所述电流路径包括从所述第一导电端子层经过所述多个第一电极层和多个第二电极层至所述第二导电端子层形成的电流回路区域,所述电流回路区域与相关电路板协作用于形成各电流抵消路径,以降低所述元件的等效串联电感。

5.如权利要求4所述的多层电子元件,其中最小化所述间隙处的端子层材料间隔,从而随着所述间隙减小,提供所述元件的等效串联电感的减小。

6.如权利要求4所述的多层电子元件,其中所述间隙处的端子层材料间隔配置为最小化这样的间隙但各自的延伸长度接片连接不交叠,从而提供所述元件的等效串联电感的相对减小,同时改善所述元件的高频性能。

7.如权利要求4所述的多层电子元件,其中所述多层电子元件包括垂直取向的多层陶瓷去耦电容器。

8.一种电路板组合体,包括:

如权利要求7所述的多层电子元件;

电路板;

多个导电线路,形成于所述电路板的同一侧,且配置为分别接合所述第一导电端子层材料和所述第二导电端子层材料;

第一导电平面,形成在所述电路板中;

第二导电平面,形成在所述电路板中;以及

多个导电通路,形成为穿过所述电路板且配置为分别将各所述第一和第二导电端子层材料与形成于所述电路板中的所述导电平面相耦接。

9.如权利要求8所述的电路板组合体,其中:

所述第一导电层材料包括功率路径或信号路径之一;且

所述第二导电层材料包括接地平面。

10.如权利要求1所述的多层电子元件,还包括至少一个边缘接片部分,所述至少一个边缘接片部分形成于各所述绝缘层的每个上且与相关的所述第一和第二导电层各自的所述主电极区域电隔离,且其选择性配置为分别沿相关的所述绝缘层的第一表面的至少一个边缘延伸,每个所述接片部分提供边缘集结区域以用于在该处形成端子材料。

11.如权利要求10所述的多层电子元件,其中所述至少一个边缘接片部分中的每个选择性配置为分别沿相关的所述绝缘层的第一表面的至少两个边缘延伸。

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