[发明专利]臭氧水混合物供应设备和方法以及基材处理装置有效
申请号: | 200810172082.2 | 申请日: | 2008-10-29 |
公开(公告)号: | CN101452823A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 吴来泽;金春植;裴正龙 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/306;B08B3/08;F17D1/08 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁兴龙;陈桂香 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 臭氧 混合物 供应 设备 方法 以及 基材 处理 装置 | ||
1.一种臭氧水混合物供应设备,包括:
供应处理液的处理液供应管线;
供应臭氧水的臭氧水供应管线;以及
混合管线,它分别从所述处理液供应管线和所述臭氧水供应管线接收所述处理液和所述臭氧水,并在所述臭氧水和所述处理液被供应到在其内进行基材处理过程的处理单元的同时混合所述处理液和所述臭氧水以产生臭氧水混合物。
2.如权利要求1所述的臭氧水混合物供应设备,还包括:
歧管,用于接收由所述混合管线产生的臭氧水混合物;以及
分配管线,用于将所述臭氧水混合物从所述歧管分配到所述处理单元。
3.如权利要求1所述的臭氧水混合物供应设备,还包括:
设置在所述混合管线中的混合阀,用于将所述处理液和所述臭氧水从所述处理液供应管线和所述臭氧水供应管线供应到所述混合管线或阻断供应;以及
设置在所述混合管线中的静态混合器,用于混合沿所述混合管线流动的所述处理液和所述臭氧水。
4.一种基材处理装置,包括:
进行基材处理过程的多个处理单元;
贮存处理液的处理液贮存单元;
从所述处理液贮存单元接收所述处理液以产生臭氧水混合物的臭氧水混合物产生单元;以及
将在所述臭氧水混合物产生单元中产生的臭氧水混合物分配到所述各处理单元中的臭氧水混合物分配单元,
其中所述臭氧水混合物产生单元包括:
供应处理液的处理液供应管线;
供应臭氧水的臭氧水供应管线;以及
混合管线,它分别从所述处理液供应管线和所述臭氧水供应管线接收所述处理液和所述臭氧水,并在所述臭氧水和所述处理液被供应到所述处理单元的同时混合所述处理液和所述臭氧水以产生臭氧水混合物。
5.如权利要求4所述的基材处理装置,其中所述臭氧水混合物分配单元包括:
歧管,用于接收由所述混合管线产生的臭氧水混合物;以及
分配管线,用于将所述臭氧水混合物从所述歧管分配到所述处理单元。
6.如权利要求4所述的基材处理装置,其中所述臭氧水混合物产生单元还包括:
设置在所述混合管线中的混合阀,用于将所述处理液和所述臭氧水从所述处理液供应管线和所述臭氧水供应管线供应到所述混合管线或阻断供应;以及
设置在所述混合管线中的静态混合器,用于混合沿所述混合管线流动的所述处理液和所述臭氧水。
7.如权利要求6所述的基材处理装置,其中所述处理单元包括:
水平地支撑基材的旋转卡盘;以及
将所述臭氧水混合物供应到设置在所述旋转卡盘上的基材上的喷嘴。
8.一种臭氧水混合物供应方法,包括:
混合处理液和臭氧水,以产生臭氧水混合物并测量所产生的臭氧水混合物的浓度,从而当所述臭氧水混合物的测得浓度符合预设浓度范围时,将所述臭氧水混合物供应到在其内进行基材处理过程的处理单元中,
其中在所述臭氧水和所述处理液被供应到所述处理单元的同时进行所述处理液和所述臭氧水的混合。
9.如权利要求8所述的臭氧水混合物供应方法,其中通过于所述处理液和所述臭氧水在其内流动的管线中设置混合阀和静态混合器进行所述处理液和所述臭氧水的混合。
10.如权利要求8所述的臭氧水混合物供应方法,其中所述处理单元包括在单晶片处理中清洁基材的单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造