[发明专利]臭氧水混合物供应设备和方法以及基材处理装置有效
申请号: | 200810172082.2 | 申请日: | 2008-10-29 |
公开(公告)号: | CN101452823A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 吴来泽;金春植;裴正龙 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/306;B08B3/08;F17D1/08 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁兴龙;陈桂香 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 臭氧 混合物 供应 设备 方法 以及 基材 处理 装置 | ||
相关申请的交叉参考
本申请要求2007年12月6日提交的韩国专利申请No.10-2007-0126055的优先权,在此引入该韩国专利申请的全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种臭氧水混合物供应设备和方法,以及从该设备接收臭氧水混合物以处理基材的基材处理装置。
背景技术
半导体制造工艺中的清洁处理是一种除去残留在晶片上的异物的处理。清洁处理中的湿式清洁处理使用各种处理液清洗残留在晶片上的异物。例如,湿式清洁处理的臭氧清洁处理使用混合臭氧与超纯水或处理液的溶液(下面,称作“臭氧水混合物”)除去残留在晶片上的光致抗蚀剂液和有机污染物。
进行臭氧清洁处理的设备包括混合容器、缓冲容器和流通管线。该混合容器提供接收处理液和臭氧并混合它们以产生臭氧水混合物的空间。超纯水或各种酸-碱性化学品液可用于处理液。混合槽用作混合容器。该缓冲容器从该混合容器接收臭氧水混合物,以将臭氧水混合物供应到在晶片上喷洒臭氧水混合物而清洁晶片的处理单元。该流通管线使臭氧和处理液在该混合容器内流通,以产生符合预设处理浓度的臭氧水混合物。在该流通管线中设有浓度计。
然而,在上述臭氧清洁设备中难于控制浓度。即,臭氧(O3)易分解成氧气(氧分子(O2)和氧原子(O))。因此,由于在混合容器中产生并贮存的臭氧水混合物的浓度变得越来越稀,因此难于控制臭氧水混合物的浓度。此外,当臭氧水混合物供应到下一单元中的时间长度增加时,在设备中处于供应备用状态的臭氧水混合物的浓度变化。因此,难于保持臭氧水混合物的浓度。当使用不符合最佳浓度的臭氧水混合物时,清洁效率下降。
发明内容
本发明提供一种臭氧水混合物供应设备和方法,以及具有所述设备的基材处理装置。
本发明还提供一种可有效地控制臭氧水混合物浓度的臭氧水混合物供应设备和方法,以及具有所述设备的基材处理装置。
本发明还提供一种可精确和容易地控制臭氧水混合物浓度的臭氧水混合物供应设备和方法,以及具有所述设备的基材处理装置。
本发明的实施例提供臭氧水混合物供应设备,包括:供应处理液的处理液供应管线;供应臭氧水的臭氧水供应管线;以及混合管线,它分别从所述处理液供应管线和所述臭氧水供应管线接收所述处理液和所述臭氧水,并在所述臭氧水和所述处理液被供应到在其内进行基材处理过程的处理单元的同时混合所述处理液和所述臭氧水以产生臭氧水混合物。
在一些实施例中,所述臭氧水混合物供应设备还可包括歧管,用于接收由所述混合管线产生的臭氧水混合物;以及分配管线,用于将所述臭氧水混合物从所述歧管分配到所述处理单元。
在其他实施例中,所述臭氧水混合物供应设备还可包括设置在所述混合管线中的混合阀,用于将所述处理液和所述臭氧水从所述处理液供应管线和所述臭氧水供应管线供应到所述混合管线或阻断供应;以及设置在所述混合管线中的静态混合器,用于混合沿所述混合管线流动的所述处理液和所述臭氧水。
在本发明的其他实施例中,基材处理装置包括:进行基材处理过程的多个处理单元;贮存处理液的处理液贮存单元;从所述处理液贮存单元接收所述处理液以产生臭氧水混合物的臭氧水混合物产生单元;以及将在所述臭氧水混合物产生单元中产生的臭氧水混合物分配到所述各处理单元中的臭氧水混合物分配单元,其中所述臭氧水混合物产生单元包括:供应处理液的处理液供应管线;供应臭氧水的臭氧水供应管线;以及混合管线,它分别从所述处理液供应管线和所述臭氧水供应管线接收所述处理液和所述臭氧水,并在所述臭氧水和所述处理液被供应到所述处理单元的同时混合所述处理液和所述臭氧水以产生臭氧水混合物。
在一些实施例中,所述臭氧水混合物分配单元可包括:歧管,用于接收由所述混合管线产生的臭氧水混合物;以及分配管线,用于将所述臭氧水混合物从所述歧管分配到所述处理单元。
在其他实施例中,所述臭氧水混合物产生单元还可包括:设置在所述混合管线中的混合阀,用于将所述处理液和所述臭氧水从所述处理液供应管线和所述臭氧水供应管线供应到所述混合管线或阻断供应;以及设置在所述混合管线中的静态混合器,用于混合沿所述混合管线流动的所述处理液和所述臭氧水。
在其他实施例中,所述处理单元可包括:水平地支撑基材的旋转卡盘;以及将所述臭氧水混合物供应到设置在所述旋转卡盘上的基材上的喷嘴。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造