[发明专利]有机EL显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机EL显示装置，通过具有SiNxOy膜的保护层覆盖着有机EL元件，该有机EL元件是在形成有电路的第一衬底上依次层叠第一电极、包含发光层的有机层以及第二电极而形成的，

该有机EL显示装置的特征在于：

所述SiNxOy膜与所述第二电极接触；

所述SiNxOy膜的Si-O-Si伸缩振动吸收峰值在比1000cm^-1更低能量一侧存在，在约870cm^-1附近存在的Si-N伸缩振动吸收峰值的吸收强度是所述Si-O-Si伸缩振动吸收峰值的吸收强度的0.75倍以上；

所述SiNxOy膜具有在2000～4000cm^-1区域的吸收峰值的强度为所述Si-N伸缩振动吸收峰值的吸收强度的5％以下的红外吸收特性。

2.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：

所述SiNxOy膜包含Ar、Ne、He中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：

所述保护层具有层叠在所述SiNxOy膜上的氧化镁膜。

4.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：

所述保护层在所述SiNxOy膜上层叠了氧化镁膜，进而又层叠了所述SiNxOy膜。

5.根据权利要求3所述的有机EL显示装置，其特征在于：

所述氧化镁膜包含Ar、Ne、He中的至少一种。

6.根据权利要求3所述的有机EL显示装置，其特征在于：

在所述氧化镁膜的红外吸收频谱的3400～3500cm^-1区域和3600cm^-1附近观察到的O-H振动吸收峰值的吸光度log(1/透过率)除以所述氧化镁膜的膜厚得到的值是0.08μm^-1以下。

7.根据权利要求3所述的有机EL显示装置，其特征在于：

在所述氧化镁膜的红外吸收频谱的3700cm^-1附近观察到的Mg-OH振动吸收峰值的吸光度log(1/透过率)除以所述氧化镁膜的膜厚得到的值是0.08μm^-1以下。

8.根据权利要求3所述的有机EL显示装置，其特征在于：

所述氧化镁膜表现(111)结晶取向性，在X射线衍射频谱中，所述氧化镁膜的(200)取向的第一衍射峰值强度I₁与所述氧化镁膜的(111)取向的第二衍射峰值强度I₂之比I₁/I₂为1以下。

9.根据权利要求3所述的有机EL显示装置，其特征在于：

所述氧化镁膜的O/Mg比是0.95～1.1。

10.一种有机EL显示装置，通过具有SiNxOy膜的保护层覆盖着有机EL元件，该有机EL元件是在形成有电路的第一衬底上依次层叠第一电极、包含发光层的有机层以及第二电极而形成的，

该有机EL显示装置的特征在于：

所述SiNxOy膜与所述第二电极接触；

所述SiNxOy膜的Si-O-Si伸缩振动吸收峰值在比1000cm^-1更低能量一侧存在，在约870cm^-1附近存在的Si-N伸缩振动吸收峰值的吸收强度是所述Si-O-Si伸缩振动吸收峰值的吸收强度的0.75倍以上；

所述SiNxOy膜具有在2000～4000cm^-1区域的吸收峰值的强度是所述Si-N伸缩振动吸收峰值的吸收强度的5％以下的红外吸收特性；

在所述保护层之上层叠有树脂薄板，在所述树脂薄板上层叠有第二衬底。

11.根据权利要求10所述的有机EL显示装置，其特征在于：

所述树脂薄板具有吸水性的性质。