[发明专利]有机EL显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机EL显示装置，尤其是涉及抑制水分引起的暗点的产生的、可靠性高的顶部发光型有机EL显示装置及其制造方法。 

背景技术

在有机EL显示装置中，在下部电极(第一电极)和上部电极(第二电极)之间夹持有机EL层，对上部电极施加恒定电压，对下部电极施加数据信号电压，控制有机EL层的发光，从而形成图像。数据信号电压对下部电极的供给通过薄膜晶体管(TFT)进行。 

如果有机EL显示装置中使用的有机EL材料存在水分，则发光特性恶化，若长时间工作，则由于水分而恶化的部位就变为不发光。这表现为显示区的暗点。该暗点随时间经过而成长，成为图像的缺陷。 

为了防止暗点的产生或者成长，需要防止水分向有机EL显示装置的浸入。因此，密封在元件衬底形成的有机EL层，防止水分从外部浸入有机EL显示装置内。针对此情况的密封方法已经开发出了各种技术。 

在JP2001-57287A和JP2001-176655A中记载了所谓的中空密封的基本结构。JP2001-57287A和JP2001-176655A记载的结构在元件衬底上形成有机EL层，为了保护该有机EL层，由密封衬底密封元件衬底。此外，通过在密封衬底或者元件衬底上设置干燥材料，从而除去浸入的水分。而且，在元件衬底和密封衬底之间形成空间。 

在中空密封型的有机EL显示装置中，具有难以进行元件衬底和的间隙调整、难以进行密封内部的压力调整、用密封剂密封时从密封剂释放出的气体引起的有机EL材料的污染、生产能力低等问题。 

在JP8-111286A和JP2000-223264A中，作为应对所述中空密封 的问题的方案，记载了所谓的固体密封的结构。即在JP8-111286A和JP2000-223264A中记载了通过无机保护膜或有机保护膜覆盖形成有有机EL层的元件而进行密封的结构。可是，在JP8-111286A和JP2000-223264A记载的结构中，与使用玻璃衬底或者金属进行密封的情况相比，存在对水分的密封效果不充分的问题。 

作为固体密封的其他结构，列举JP2004-139977A。在JP2004-139977A中，使用加热到80℃的压涂辊，把在光透过性薄膜上形成的光硬化性树脂粘贴到设置了有机EL层的元件衬底上。接着，照射紫外线，使光硬化性树脂硬化，剥离光透过性薄膜，从而取得用光硬化性树脂密封后的有机EL显示装置。此外，在JP2004-139977A中记载了根据需要用氮化硅膜覆盖有机EL元件的结构。 

在JP2005-79254A中记载了使用等离子体CVD形成Si-H少的SiN膜。记载于JP2005-79254A的例子中，衬底温度是200℃。此外，在JP2004-50821A中记载了通过离子电镀法形成SiNxOy膜。 

发明内容

无论是中空型密封还是固体密封，为了把有机EL层的对水分的防御变得更为可靠，在有机EL层之上形成的上部电极之上还用SiN等覆盖是有效的。但是，采取通常使用的由CVD法得到的SiN膜作为半导体用保护膜时，在有机EL显示装置用的保护膜的形成中要求的100℃以下(最好是80℃以下)的低温成膜中，因为Si-H、N-H的存在，氢含量大且是低密度，所以并不一定能取得充分的性能。 

此外，因为低温成膜，也容易产生未反应性物引起的异物。进而，成膜温度容易偏移，所以膜质的离差大。虽然考虑增大膜厚，但是成膜速度小，设备投资也增大，所以并不现实。 

本发明的课题在于，得到成膜速度快、且防水效果优异的保护膜，改善有机EL显示装置的寿命特性。 

本发明作为保护膜，使用成膜速度快的SiNxOy膜，并且通过确定SiNxOy膜的成膜条件，取得防水效果优异的保护膜。据此，取得寿命特性优异的有机EL显示装置。具体的技术方案如下。