[发明专利]制造快闪存储器件的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供半导体衬底；然后

在所述半导体衬底之上形成隧道氧化物层；然后

在所述隧道氧化物层之上形成具有侧壁的第一多晶硅图案；然后

在所述第一多晶硅图案的侧壁之上形成第二多晶硅图案；然后

在所述第一多晶硅图案的侧壁之上形成第三多晶硅图案；然后

在所述第一多晶硅图案、第二多晶硅图案和第三多晶硅图案之上形成 介电层；然后

在所述介电层之上形成多晶硅层；然后

实施蚀刻工艺以形成隧道氧化物层图案、介电图案和第四多晶硅图 案。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述介电图案、所述隧道 氧化物层图案、和所述第二多晶硅图案、第三多晶硅图案和第四多晶硅图 案的侧壁之上形成间隔物。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述半导体衬底中形成源 极区域和漏极区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一多晶硅图案的所述 侧壁之上形成所述第二多晶硅图案和第三多晶硅图案包括：

在其上形成有所述第一多晶硅图案的所述隧道氧化物层之上形成第 二多晶硅层；然后

对所述第二多晶硅层实施各向异性蚀刻。

5.根据权利要求1所述的方法，其中同时形成所述第二多晶硅图案 和所述第三多晶硅图案。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一多晶硅图案的所述 侧壁之上形成所述第二多晶硅图案和所述第三多晶硅图案包括：暴露出在 所述第二多晶硅图案和所述第三多晶硅图案之间的所述隧道氧化物层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在实施所述蚀刻工艺之后，所 述第四多晶硅图案与其上形成有所述第二多晶硅图案和第三多晶硅图案 的所述隧道氧化物层图案对准。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述介电层包括：使所述 介电层与暴露于所述第二多晶硅图案和所述第三多晶硅图案之间的所述 隧道氧化物层接触。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述隧道氧化物层是通过热氧 化工艺形成的。

10.根据权利要求1所述的方法，其中当对所述第四多晶硅图案施加 偏压时，使与施加于所述第四多晶硅图案的偏压相同的偏压施加于之下的 所述第二多晶硅图案和第三多晶硅图案。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电图案设置在所述第二 多晶硅图案和所述第三多晶硅图案之间，使得通过所述介电图案分离所述 第二多晶硅图案和所述第三多晶硅图案。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电层是由氧化物-氮化物 -氧化物层形成的。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电层是由氧化物-氮化物 层形成的。

14.一种装置，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底之上的隧道氧化物层图案；

在所述隧道氧化物层图案之上的具有侧壁的第一多晶硅图案；

在所述第一多晶硅图案的侧壁之上的第二多晶硅图案；

在所述第一多晶硅图案的侧壁之上的第三多晶硅图案；

在所述第一多晶硅图案、第二多晶硅图案和第三多晶硅图案之上的介 电图案；和

在所述介电图案之上的第四多晶硅图案。

15.根据权利要求14所述的装置，还包括在所述介电图案、所述隧道 氧化物层图案以及所述第二多晶硅图案、第三多晶硅图案和第四多晶硅图 案的侧壁之上形成的间隔物。

16.根据权利要求14所述的装置，其中所述介电图案设置在所述第二 多晶硅图案和所述第三多晶硅图案之间，使得通过所述介电图案分离所述 第二多晶硅图案和所述第三多晶硅图案。