[发明专利]制造快闪存储器件的方法

说明书

相关申请

本申请根据35U.S.C.§119要求韩国专利申请No.10-2007-0122672 (2007年11月29日提交)的优先权，通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本发明涉及制造快闪存储器件的方法。

背景技术

快闪存储器件是即使当电源关闭时也保持存储的数据的一类非易失性 存储器。其在写、读和删除操作中具有比较高的数据处理速度。因此，快 闪存储器件可用作用于网络服务器、打印机、机顶盒、或个人电脑(PC) 的BIOS(基本输入输出系统)的数据存储器件。快闪存储器件也可用于 照相机和移动电话等。

发明内容

在一些实施方案中，制造快闪存储器件的方法包括：提供半导体衬底， 在所述半导体衬底上和/或之上形成隧道氧化物层，在所述隧道氧化物层上 和/或之上形成具有侧壁的第一多晶硅图案，在所述第一多晶硅图案的侧壁 上和/或之上形成第二多晶硅图案，在所述第一多晶硅图案的侧壁上和/或 之上形成第三多晶硅图案，在所述第一、第二和第三多晶硅图案上和/或之 上形成介电层，在所述介电层上和/或之上形成多晶硅层，和实施蚀刻工艺 以形成隧道氧化物层图案、介电图案和第四多晶硅图案。

在一些实施方案中，快闪存储器件包括在半导体衬底上和/或之上具有 隧道氧化物层图案的半导体衬底。在所述隧道氧化物层图案上和/或之上可 形成具有侧壁的第一多晶硅图案。在所述第一多晶硅图案的侧壁上和/或之 上可形成第二多晶硅图案和第三多晶硅图案。在所述第一、第二和第三多 晶硅图案上和/或之上可形成介电图案。在所述介电层上和/或之上可形成 第四多晶硅图案。

附图说明

示例性图1至13说明根据一些实施方案的快闪存储器件及其制造方 法。

具体实施方式

示例性图1至11是根据一些实施方案的快闪存储器件的平面图和截面 图。

如示例性图1中所示的，在半导体衬底10中限定有源区3。可以通过 在半导体衬底10中形成器件隔离层2限定有源区3。可以通过在半导体衬 底10中形成沟槽并且用绝缘体填充所述沟槽形成器件隔离层2。

如示例性图2所示，可形成隧道氧化物层13和第一多晶硅层7。隧道 氧化物层13可通过实施热氧化工艺形成。

然后，如示例性图3A所示，在半导体衬底10之上可形成第一多晶硅 图案12。第一多晶硅图案12可通过图案化第一多晶硅层7以移除其中形 成栅极的区域来形成。

此处，沿着线A-A’截取的横截面图如示例性图3B所示，沿着线B-B’ 截取的横截面图如示例性图3C所示。如图3B所示，在第一多晶硅图案 12中可形成沟槽5。

然后，如示例性图4A和4B所示，在隧道氧化物层13和第一多晶硅 图案12之上可形成第二多晶硅层20。第二多晶硅层20可以形成为完全覆 盖第一多晶硅图案12。

可各向异性地蚀刻第二多晶硅层20以形成第二多晶硅图案22和第三 多晶硅图案24，如示例性图5A和5B所示。使用各向异性蚀刻，第二多 晶硅图案22和第三多晶硅图案24可同时形成。第二多晶硅图案22和第三 多晶硅图案24可形成在第一多晶硅图案12的侧壁之上。在第二多晶硅图 案22和第三多晶硅图案24之间可暴露出隧道氧化物层13的一部分。第二 多晶硅图案22和第三多晶硅图案24可以是浮置栅极。

如示例性图6所示，浮置栅极可图案化为用作单元之间的隔离。这可 以通过图案化第一多晶硅图案12来实现。图案化后的第一多晶硅图案12 可形成在有源区3之上。

如示例性图7A和7B所示，介电层26和第三多晶硅层30可形成在第 一多晶硅图案12、第二多晶硅图案22和第三多晶硅图案24之上。介电层 26可由ONO(氧化物-氮化物-氧化物)层形成，所述ONO(氧化物-氮化 物-氧化物)层由依次形成的第一氧化物层、第一氮化物层和第二氧化物层 组成。介电层26可用于使得其上的上层与其下的下层绝缘。介电层26可 接触暴露于第二多晶硅图案22和第三多晶硅图案24之间的隧道氧化物层 13。虽然实施方案可使用ONO层作为介电层26，但是实施方案不限于此。 例如，介电层26可具有由第一氧化物层和第一氮化物层组成的ON(氧化 物-氮化物)结构。第三多晶硅层30可形成控制栅极。