[发明专利]磁耦合器

权利要求书

1.一种磁耦合器，其特征在于，

设有：在第一层上卷绕的薄膜线圈；

设于与所述第一层不同的第二层上，检测由流过所述薄膜线圈的 电流产生的感应磁场的磁阻效应元件；以及

在所述薄膜线圈的径向上与所述磁阻效应元件相邻而配置的磁 轭，

所述磁轭配置在所述薄膜线圈的卷绕中心侧和卷绕外周侧，将所 述磁阻效应元件夹于其中，

在所述薄膜线圈的径向上，与所述薄膜线圈的卷绕外周侧的所述 磁轭相比，所述薄膜线圈的卷绕中心侧的所述磁轭更靠近所述薄膜线 圈的最内周边缘和最外周边缘之间的中心位置。

2.如权利要求1所述的磁耦合器，其特征在于，

所述薄膜线圈包含在卷绕方向上直线状延伸的多个直线图案占有 的直线区域，所述磁阻效应元件设置在层叠方向上与所述直线区域对 应的位置上。

3.如权利要求1所述的磁耦合器，其特征在于，

在所述薄膜线圈的径向上，与所述薄膜线圈的最内周边缘相比， 所述薄膜线圈的卷绕中心侧的所述磁轭更位于卷绕外周侧。

4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的磁耦合器，其特征 在于，

在所述薄膜线圈的径向上，位于所述薄膜线圈的卷绕外周侧的所 述磁轭，与所述薄膜线圈的最外周边缘相比，其卷绕中心侧的边缘更 位于卷绕中心侧。

5.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的磁耦合器，其特征 在于，

所述磁轭配置在所述第二层上。

6.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的磁耦合器，其特征 在于，

所述磁轭具有其方向沿所述薄膜线圈的卷绕方向的易磁化轴。

7.如权利要求6所述的磁耦合器，其特征在于，

所述磁轭呈延伸状态，其纵向与所述薄膜线圈的卷绕方向一致。

8.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的磁耦合器，其特征 在于，

所述磁轭由多个磁轭图案构成，它们各自沿所述薄膜线圈的卷绕 方向延伸，且在所述薄膜线圈的径向上相邻地分开设置。

9.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的磁耦合器，其特征 在于，

所述磁轭具有在层叠方向上软磁性层与绝缘层交替层叠多层的层 叠结构。

10.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的磁耦合器，其特 征在于，

还设有反铁磁性层，该反铁磁性层配置成具有其方向沿所述磁轭 的易磁化轴的磁矩。

11.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的磁耦合器，其特 征在于，

还设有强磁性层，该强磁性层配置成给予所述磁轭以沿其易磁化 轴方向的偏置磁场。

12.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的磁耦合器，其特 征在于，

所述磁阻效应元件具有沿所述薄膜线圈的卷绕方向或在所述薄膜 线圈的径向上延伸的多个带状图案；且

所述多个带状图案串联连接。

13.如权利要求1所述的磁耦合器，其特征在于，

所述磁阻效应元件包括各自的阻值因流过所述薄膜线圈的电流产 生的感应磁场而变化的第一至第四磁阻效应元件，

由于所述感应磁场的发生，所述第一和第二磁阻效应元件的阻值 与所述第三和第四磁阻效应元件的阻值的增减方向相反地变化。