[发明专利]微型显示器的制作方法无效
申请号: | 200810173464.7 | 申请日: | 2008-11-14 |
公开(公告)号: | CN101740497A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 李政勋;吴沂庭;孙伟宸;姜元升 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/822;H01L21/311 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 蒲迈文 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 显示器 制作方法 | ||
1.一种微型显示器的制作方法,包括:
提供基底,该基底具有像素区与周边电路区,其中该像素区已形成有金属反射层,且该周边电路区已形成有周边电路;
于该基底上形成介电层,以覆盖该像素区与该周边电路区;
于该介电层上形成图案化掩模层,该图案化掩模层暴露出位于该金属反射层上方的该介电层;
以该图案化掩模层为掩模,移除暴露出的该介电层的一部分;
移除该图案化掩模层;以及
移除部分该介电层,以暴露出该金属反射层。
2.如权利要求1所述的微型显示器的制作方法,其中该金属反射层的材料包括铝、金或银。
3.如权利要求1所述的微型显示器的制作方法,其中移除暴露出的该介电层的一部分的方法包括干式蚀刻法。
4.如权利要求1所述的微型显示器的制作方法,其中移除部分该介电层以暴露出该金属反射层的方法包括进行全面性蚀刻,直到暴露出该金属反射层。
5.如权利要求1所述的微型显示器的制作方法,其中该图案化掩模层的材料为光致抗蚀剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造