[发明专利]微型显示器的制作方法无效
申请号: | 200810173464.7 | 申请日: | 2008-11-14 |
公开(公告)号: | CN101740497A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 李政勋;吴沂庭;孙伟宸;姜元升 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/822;H01L21/311 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 蒲迈文 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 显示器 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种微型显示器(micro-display)的制作方法,且特别是涉及可以避免镜面层(mirror layer)受到损害以及避免周边电路(periphery circuit)氧化的一种微型显示器的制作方法。
背景技术
近年来的液晶像素结构已经渐渐的广泛应用于日常生活上,如液晶电视、手提电脑或桌上型电脑的液晶荧幕以及液晶投影机等。微型显示器可以应用于各类型显示器,如液晶显示器或是有机发光二极管显示器。
一般来说,在微型显示器产品中,通常会利用铝(Al)来作为镜面层的材料,以确保镜面层具有优选的反射率。在微型显示器的制作方法中,为了将镜面层上的介电层移除以暴露出镜面层,传统的技术是利用全面性蚀刻(blanket etch)或化学机械抛光法(chemical mechanical polish,CMP)来移除镜面层上的介电层。然而,在以全面性蚀刻或化学机械抛光法移除镜面层上的介电层时,不可避免地会将周边电路上的介电层同时移除,使得周边电路暴露出来,因而造成周边电路氧化等问题,并严重影响元件效能。
为了避免全面性蚀刻或化学机械抛光法造成周边电路暴露而氧化的问题,通常会利用光刻工艺与蚀刻工艺来移除镜面层上的介电层。然而,在移除镜面层上的介电层之后,镜面层会在后续去除光致抗蚀剂的过程中被去除光致抗蚀剂所使用的溶液侵蚀,造成镜面层的表面不平整,因而导致镜面层的反射效果降低,并影响元件的可靠度。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的就是在提供一种微型显示器的制作方法,其可以避免镜面层受到损害以及避免周边电路氧化。
本发明提出一种微型显示器的制作方法,其是先提供具有像素区(pixelregion)与周边电路区(periphery region)的基底,其中像素区已形成有金属反射层,且周边电路区已形成有周边电路。然后,在基底上形成介电层,以覆盖像素区与周边电路区。接着,在介电层上形成图案化掩模层,此图案化掩模层暴露出位于金属反射层上方的介电层。而后,以图案化掩模层为掩模,移除暴露出的介电层的一部分。继之,移除图案化掩模层。之后,移除部分介电层,以暴露出金属反射层。
依照本发明实施例所述的微型显示器的制作方法,上述的金属反射层的材料例如为铝、金或银。
依照本发明实施例所述的微型显示器的制作方法,上述的移除暴露出的介电层的一部分的方法例如为干式蚀刻法。
依照本发明实施例所述的微型显示器的制作方法,上述的移除部分介电层以暴露出金属反射层的方法例如为进行全面性蚀刻,直到暴露出金属反射层。
依照本发明实施例所述的微型显示器的制作方法,上述的图案化掩模层的材料例如为光致抗蚀剂。
本发明先利用光刻工艺与蚀刻工艺移除金属反射层上的一部分介电层,并保留一部分的介电层在金属反射层上,因此可以使金属反射层在移除光致抗蚀剂的过程中避免与移除光致抗蚀剂所使用的溶液接触而受到损害,以及可以避免周边电路在全面性蚀刻的过程中被暴露出来而导致氧化的问题。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图,作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1D为依照本发明实施例所绘示的微型显示器的制作方法的剖面示意图。
附图标记说明
100:基底 101:像素区
102:金属反射层 103:周边电路区
104:周边电路 106:介电层
108:图案化掩模层 110、112:开口
具体实施方式
图1A至图1D为依照本发明实施例所绘示的微型显示器的制作方法的剖面示意图。首先,请参照图1A,提供具有像素区101与周边电路区103的基底100,其中像素区101已形成有金属反射层102,且周边电路区103已形成有周边电路104。基底100例如为硅基底。金属反射层102的材料例如为铝、金、银或其他合适的金属反射材料。金属反射层102是用来作为微型显示器中的镜面层。因此,当光线入射至微型显示器中时,金属反射层102可将光线反射回去。此外,在本实施例中,周边电路区103例如是位于像素区101的一侧。在另一实施例中,周边电路区103例如是围绕像素区101,亦即周边电路104围绕金属反射层102。
然后,请继续参照图1A,在基底100上形成介电层106,以覆盖像素区101与周边电路区103。介电层106的材料例如为氧化物。介电层106的形成方法例如为化学气相沉积法。
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