[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，

包括如下工序：

在基板上形成由第1导电膜构成的图案的工序；

在所述第1导电膜上依次层叠栅绝缘膜、半导体层及光刻胶的工 序；

在所述光刻胶的上部配置光掩模，用照相制版工艺形成沿厚度方 向具有台阶构造的光刻胶图案的工序；

利用所述光刻胶图案，形成所述第1导电膜的露出区及半导体层 的图案的工序；

在所述第1导电膜的露出区形成由与所述第1导电膜接触的第2 导电膜构成的图案的工序；以及

在所述第2导电膜的上层形成由层间绝缘膜及第3导电膜构成的 各图案的工序，

所述第1导电膜与所述第2导电膜具有导电膜连接区，该导电膜 连接区包含它们经由形成于所述栅绝缘膜的开口部直接接触的区域， 并包含由上层膜覆盖所述第2导电膜的区域，

所述导电膜连接区至少包括：

由形成在所述薄膜晶体管阵列基板上的所述第1导电膜构成的 共用电容电极层；

在该共用电容电极层的正上方形成在该共用电容电极层的延伸 方向的所述栅绝缘膜的所述开口部；

由在该开口部与所述共用电容电极层直接连接的所述第2导电 膜构成的公共布线；以及覆盖所述公共布线的上层膜，

薄膜晶体管的栅电极及连接所述栅电极的栅布线用所述第1导 电膜形成，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极及连接所述源电极的源 布线用所述第2导电膜形成，像素电极用所述第3导电膜形成。

2.如权利要求1中记载的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特 征在于，

在形成所述第1导电膜的露出区及半导体层的图案的工序中：

以所述光刻胶图案为掩模来蚀刻所述半导体层和所述栅绝缘膜， 从而得到所述第1导电膜的露出区，

形成第2光刻胶图案，使所述光刻胶图案的膜厚大的部分作为图 案残留，

以所述第2光刻胶图案为掩模来蚀刻所述半导体层，从而得到所 述半导体层的图案。

3.如权利要求1中记载的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特 征在于，

在形成所述第1导电膜的露出区及半导体层的图案的工序中：

以所述光刻胶图案为掩模来蚀刻所述半导体层，

形成第2光刻胶图案，使所述光刻胶图案中膜厚大的部分作为图 案残留，

接着，以通过所述第2光刻胶图案而露出的半导体层为掩模进行 所述栅绝缘膜的蚀刻，从而得到所述第1导电膜的露出区，

以所述第2光刻胶图案为掩模来蚀刻所述半导体层，从而得到所 述半导体层的图案。

4.如权利要求1中记载的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特 征在于，

所述导电膜连接区的所述第2导电膜，在形成于所述栅绝缘膜的 开口部内及所述栅绝缘膜的正上方形成。

5.如权利要求1中记载的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特 征在于，

所述第3导电膜是透明导电膜。

6.如权利要求1中记载的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特 征在于，

所述导电膜连接区形成于驱动电路。

7.如权利要求1中记载的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特 征在于，

所述导电膜连接区形成于端子。

8.如权利要求1中记载的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特 征在于，

所述导电膜连接区形成于保护电路。

9.如权利要求1中记载的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特 征在于，

所述上层膜是保护膜或所述第3导电膜。

10.一种装有用权利要求1～9中任何一项记载的薄膜晶体管阵列 基板的制造方法制造的薄膜晶体管阵列基板的显示装置。