[发明专利]薄膜晶体管基板、显示面板、显示装置及其制造方法无效
申请号: | 200810174618.4 | 申请日: | 2008-10-28 |
公开(公告)号: | CN101728398A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 吴炳升;林必立;王志诚;吴政哲 | 申请(专利权)人: | 奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/28;G02F1/1362;G02F1/133 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 李昕巍 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 显示 面板 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管基板,包含:
多个行数据线;以及
多个列扫描线,与所述数据线定义出多个像素区域,其中每一像素区域内包含:
至少一像素电极,
至少一储存电极,与该像素电极相对而设,该储存电极具有一透光部及一非透光部,及
一介电层,设置在该储存电极与该像素电极之间。
2.如权利要求1的薄膜晶体管基板,其中该非透光部设置在该透光部之上,并相互接触。
3.如权利要求1的薄膜晶体管基板,其中该透光部设置在该非透光部之上,并相互接触。
4.一种显示面板,包含:
一对向基板;以及
一薄膜晶体管基板,与该对向基板相对而设,该薄膜晶体管基板具有多个行数据线及多个列扫描线,所述数据线与所述扫描线定义出多个像素区域,其中每一像素区域内包含:
至少一像素电极,
至少一储存电极,与该像素电极相对而设,该储存电极具有一透光部及一非透光部,及
一介电层,设置在该储存电极与该像素电极之间。
5.如权利要求4的显示面板,其中该储存电极设置于一基板之上,而该像素电极设置在该储存电极之上。
6.如权利要求4的显示面板,其中该非透光部设置在该透光部之上,并相互接触。
7.如权利要求4的显示面板,其中该透光部设置在该非透光部之上,并相互接触。
8.一种显示装置,包含:
一背光模组;以及
一显示面板,邻设于该背光模组,该显示面板具有一对向基板及一薄膜晶体管基板,该薄膜晶体管基板与该对向基板相对而设,该薄膜晶体管基板具有多个行数据线及多个列扫描线,所述数据线与所述扫描线定义出多个像素区域,其中每一像素区域内包含:
至少一像素电极,
至少一储存电极,与该像素电极相对而设,该储存电极具有一透光部及一非透光部,及
一介电层,设置在该储存电极与该像素电极之间。
9.如权利要求8的显示装置,其中该非透光部设置在该透光部之上,并相互接触。
10.如权利要求8的显示装置,其中该透光部设置在该非透光部之上,并相互接触。
11.一种薄膜晶体管基板的制造方法,包含以下步骤:
于一基板上形成一储存电极,其中该储存电极具有一透光部及一非透光部;以及
形成一像素电极在该储存电极之上,其中于形成一像素电极在该储存电极上之前更包含一步骤:
在该储存电极上形成一介电层。
12.如权利要求11的制造方法,其中在该基板上形成该储存电极是包含以下步骤:
在该基板上形成一透光导电层;
在该透光导电层上形成一非透光导电层;
在该非透光导电层上形成一图案化光致抗蚀剂层;以及
蚀刻部分该透光导电层及该非透光导电层以形成该透光部及该非透光部。
13.如权利要求12的制造方法,其中在该基板上形成图案化光致抗蚀剂层是利用半色调网点光掩模技术对该光致抗蚀剂层进行曝光与显影工艺。
14.如权利要求11的制造方法,其中在该基板上形成该储存电极是包含以下步骤:
在该基板上形成一非透光导电层;
在该非透光导电层上形成一第一图案化光致抗蚀剂层;
蚀刻部分该非透光导电层以形成该非透光部;
在该基板及该非透光部上形成一透光导电层;
在该透光导电层上形成一第二图案化光致抗蚀剂层;以及
蚀刻部分该透光导电层以形成该透光部。
15.如权利要求11的制造方法,其中在该基板上形成该储存电极是包含以下步骤:
在该基板上形成一透光导电层;
在该透光导电层上形成一第一图案化光致抗蚀剂层;
蚀刻部分该透光导电层以形成该透光部;
在该基板及该透光部上形成一非透光导电层;
在该非透光导电层上形成一第二图案化光致抗蚀剂层;以及
蚀刻部分该非透光导电层以形成该非透光部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的