[发明专利]薄膜晶体管基板、显示面板、显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明关于一种薄膜晶体管基板、显示面板、显示装置及其制造方法。

背景技术

请同时参考图1A及图1B，其中图1A为公知的薄膜晶体管基板1的俯视图，图1B为图1A中沿A-A线的剖面示意图。薄膜晶体管基板1具有一像素电极11、一储存电极12、一介电层13及一基板14。储存电极12设置于基板14上，像素电极11设置于储存电极12之上，而介电层13设置于像素电极11及储存电极12之间，使得像素电极11及储存电极12之间形成一储存电容。

由于储存电容的电容值会影响画面品质好坏，例如当电容值太小时画面容易产生闪烁(flicker)及串音(cross-talk)等现象，因此，如何维持足够的电容值是为必要的考量设计。常见的做法是利用不透光的金属作为储存电极，以提高储存电容值，然而不透光的金属将会导致像素的开口率下降，进而对影像的显示效果与品质造成影响。

发明内容

有鉴于上述课题，本发明的目的为提供一种能提高电容值及开口率的薄膜晶体管基板、显示面板、显示装置及其制造方法。

为达上述目的，依据本发明的一种薄膜晶体管基板包含多个行数据线以及多个列扫描线。所述数据线与所述扫描线定义出多个像素区域，其中每一像素区域包含至少一像素电极、至少一储存电极以及一介电层。储存电极与像素电极相对而设，且储存电极具有一透光部及一非透光部。介电层设置于储存电极与像素电极之间。

为达上述目的，依据本发明的一种显示面板包含一对向基板及一薄膜晶体管基板。薄膜晶体管基板与对向基板相对而设，且薄膜晶体管基板具有多个行数据线及多个列扫描线，所述数据线与所述扫描线定义出多个像素区域，其中每一像素区域内包含至少一像素电极、至少一储存电极及一介电层。储存电极与像素电极相对而设，且储存电极具有一透光部及一非透光部。介电层设置于储存电极与像素电极之间。

为达上述目的，依据本发明的一种显示装置包含一背光模组及一显示面板。显示面板是邻设于背光模组，其中显示面板包含一对向基板及一薄膜晶体管基板。薄膜晶体管基板与对向基板相对而设，且薄膜晶体管基板包含至少一像素电极、至少一储存电极及一介电层。储存电极与像素电极相对而设，且储存电极具有一透光部及一非透光部。介电层设置于储存电极与像素电极之间。

为达上述目的，依据本发明的一种薄膜晶体管基板的制造方法包含以下步骤：于一基板上形成一储存电极，其中储存电极具有一透光部及一非透光部；以及形成一像素电极于储存电极之上。

为达上述目的，依据本发明的一种显示面板的制造方法包含以下步骤：于一基板上形成一储存电极，其中储存电极具有一透光部及一非透光部；以及形成一像素电极于储存电极之上。

为达上述目的，依据本发明的一种显示装置的制造方法包含以下步骤：于一基板上形成一储存电极，其中储存电极具有一透光部及一非透光部；以及形成一像素电极于储存电极之上。

承上所述，依据本发明的一种薄膜晶体管基板、显示面板、显示装置及其制造方法，是将储存电极与像素电极相对而设，使得储存电极的透光部及非透光部分别与像素电极形成一储存电容。本发明利用透光部以提高储存电容值，相对地非透光部的面积可缩小，进而可提高像素的开口率。

附图说明

图1A为一种公知薄膜晶体管基板的示意图；

图1B为图1A的A-A线的剖面图；

图2为依据本发明优选实施例的一种薄膜晶体管基板的示意图；

图3A为依据本发明优选实施例的一种薄膜晶体管基板的一像素区域的示意图；

图3B为图3A的B-B线的剖面图；

图4A及图4B为依据本发明优选实施例的一种薄膜晶体管基板的像素区域的变化态样示意图；

图5为依据本发明优选实施例的一种薄膜晶体管基板的制造方法的流程图；

图6A至图6C为图5的薄膜晶体管基板的制造示意图；

图7为图5的形成储存电极的制造方法的流程图；

图8A至图8E为图7的薄膜晶体管基板的制造流程示意图；

图9为图5的形成储存电极的另一种制造方法的流程图；以及

图10A至图10F为图9的薄膜晶体管基板的制造流程示意图。

【主要元件符号说明】

1、2：薄膜晶体管基板           11、21：像素电极

12、22：储存电极               13、24：介电层

14、23：基板                   241：第一绝缘层