[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有在半导体基板上形成的n沟道导电型场效应晶体管，其特征在于具有下述工序：

覆盖上述n沟道导电型场效应晶体管的栅极电极而形成自调整接触用绝缘膜即第1膜的工序，

在上述n沟道型场效应晶体管工作时，在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域，由上述第1膜主要在上述n沟道型场效应晶体管的栅极电极的栅极长度方向产生拉伸应力，以使在上述n沟道型场效应晶体管的源区与漏区之间流动的电流增加。

2.如权利要求1记载的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述第1膜是氮化硅膜。

3.如权利要求1记载的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述第1膜通过等离子CVD法形成。

4.如权利要求1记载的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述第1膜通过热CVD法形成。

5.如权利要求1记载的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述栅极电极的栅极长度方向上的长度为0.14μm以下。

6.一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包括n沟道型场效应晶体管，该n沟道型场效应晶体管具有栅极绝缘膜、栅极电极、侧壁间隔件、源区及漏区，而且在其工作时，具有在隔着上述栅极绝缘膜的上述栅极电极下的半导体基板上形成沟道的沟道形成区域，其特征在于具有下述工序：

(a)在半导体基板上形成栅极绝缘膜的工序；

(b)在上述(a)工序之后，在上述栅极绝缘膜上形成栅极电极的工序；

(c)在上述(b)工序之后，在上述半导体基板上，通过进行离子注入，形成作为上述源区或上述漏区的一部分、且显示n型导电性的第1半导体区域的工序；

(d)在上述(c)工序之后，在上述栅极电极的侧壁上形成侧壁间隔件的工序；

(e)在上述(d)工序之后，在上述半导体基板上，通过进行离子注入，形成作为上述源区或上述漏区的一部分、显示n型导电性、且杂质浓度比上述第1半导体区域的杂质浓度高的第2半导体区域的工序；

(f)在上述(e)工序之后，覆盖上述n沟道型场效应晶体管而形成第1膜的工序；

(g)在上述(f)工序之后，在上述第1膜上形成层间绝缘膜的工序；

(h)在上述(g)工序之后，通过腐蚀上述层间绝缘膜，以上述第1膜作为阻蚀膜，形成用于连接上述源区及上述漏区的多个接触孔的工序，

在上述n沟道型场效应晶体管工作时，在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域，由上述第1膜主要在上述n沟道型场效应晶体管的栅极电极的栅极长度方向产生拉伸应力，以使在上述n沟道型场效应晶体管的源区与漏区之间流动的电流增加。

7.如权利要求6记载的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述第1膜是氮化硅膜。

8.如权利要求6记载的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述第1膜通过等离子CVD法形成。

9.如权利要求6记载的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述第1膜通过热CVD法形成。

10.如权利要求6记载的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述栅极电极的栅极长度方向上的长度为0.14μm以下。

11.一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有在半导体基板上形成的p沟道导电型场效应晶体管，其特征在于具有下述工序：

覆盖上述p沟道导电型场效应晶体管的栅极电极而形成自调整接触用绝缘膜即第2膜的工序，

在上述p沟道型场效应晶体管工作时，在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域，由上述第2膜主要在上述p沟道型场效应晶体管的栅极电极的栅极长度方向产生压缩应力，以使在上述p沟道型场效应晶体管的源区与漏区之间流动的电流增加。

12.如权利要求11记载的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述第2膜是氮化硅膜。

13.如权利要求11记载的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述第2膜通过等离子CVD法形成。