[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法无效
申请号: | 200810175424.6 | 申请日: | 2008-11-12 |
公开(公告)号: | CN101499408A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 孙亮;羽方满之;厨子卓哉;篠原正树;樋口尚 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马少东;徐 恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,
具有除去单元,该除去单元设置成对于水平支撑的基板能够相对移动,伴随着所述相对移动,从基板的一端侧向另一端侧除去在所述基板的上表面形成的处理液的液层,
所述除去单元具有:
流体供给部,其为了除去所述液层,在与所述相对移动的方向交叉的方向上横跨基板的整个宽度向基板上表面喷出调整过流量的除层用流体;
消波部,其抑制在喷出所述除层用流体时所产生的所述液层的波纹,
所述消波部具有与所述基板的上表面相对的对置面,所述消波部与所述基板上表面分离能够在该对置面与所述基板的上表面之间形成所述处理液的弯液面的距离,其中,相对于所述基板上的所述除层用流体的供给位置,在与所述相对移动方向上的上游侧相邻的位置上,所述对置面与所述基板的上表面相对。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,具有清洗单元,该清洗单元向所述消波部喷射清洗液,以此清洗该消波部。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,具有第一处理液供给单元,该第一处理液供给单元设置成对于水平支撑的基板能够相对移动,伴随着第一处理液供给单元对于基板的相对移动,从所述一端侧起向基板上表面供给所述处理液,以此形成所述液层。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,具有第二处理液供给单元,该第二处理液供给单元与所述除去单元一体地对于所述基板相对移动,伴随着所述移动,向在所述基板上供给有所述除层用流体的区域供给不同于所述液层的其他处理液。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,所述除去单元具有盖构件,该盖构件用于罩住所述流体供给部以及在所述基板上的所述除层用流体的喷出位置。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,具有所述第二处理液供给单元,所述盖构件设置成罩住所述第二处理液供给单元以及该第二处理液供给单元在所述基板上的处理液供给位置。
7.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,具有排气单元,该排气单元用于对所述盖构件的内部环境进行排气。
8.一种基板处理方法,使用权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
液层形成工序,向水平支撑的基板的上表面从该基板的一端侧向另一端侧供给处理液,以此在基板上表面形成该处理液的液层;
液层除去工序,使用所述基板处理装置,一边使所述除去单元对于形成有所述液层的所述基板相对移动,一边向所述基板的上表面喷出所述除层用流体,以此从该基板的所述一端侧向所述另一端侧除去所述液层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造