[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置等，该基板处理装置向LCD(液晶显示装置)和PDP(等离子显示器)等FPD(平板显示器)用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、半导体衬底等基板供给各种处理液以实施处理。 

背景技术

以往，作为向LCD等矩形基板的上表面(主面)供给处理液以实施规定的处理的基板处理装置，例如提出有专利文献1所公开的装置。 

该专利文献1所公开的装置进行所谓的浸渍式显影处理，该浸渍式显影处理一边在以水平姿势搬送基板，一边向基板表面供给显影液，利用其表面张力形成液层，并在该状态下实施规定时间的显影处理。然后，使基板在宽度方向上倾斜(在与搬送方向垂直的方向上倾斜)，从而使显影液沿基板流下，然后，一边以倾斜姿势搬送该基板，一边向基板表面供给清洗液，以此实施清洗处理。与以喷淋状供给显影液的装置相比，实施浸渍式显影处理的专利文献1的装置能够以少量的显影液对整个基板实施均匀的显影处理，因此具有如下特点：能够控制运行成本，从而能够经济地实施显影处理。 

专利文献1：JP特开平11-87210号公报 

但是，在上述现有装置中存在如下问题。即，在形成液层时，虽然从搬送方向前端侧起依次向基板供给显影液，但由于在显影处理后使基板在其宽度方向上倾斜以使显影液流下，因而显然在基板面内其处理时间上产生差异。具体来讲，有这样一种倾向，即，在搬送方向上越是位于基板的后端一侧，或者越是位于倾斜姿势的上侧的部位，其处理时间越是变短。在基板尺寸小的情况下，在基板面内的处理时间的时间差(对于处理时间最长的部位和处理时间最短的部位的处理时间之间的时间差)小，所以几乎能够忽略其对质量的影响。但是，近几年，随着基板的大型化，所要求的处理精密度也日渐提高，所以要确保质量，就变得无法忽视在基板面内的处理时间的时间差。另外，近几年，更加重视处理能力的提高，但在显影处理后需停止搬送基板进行姿势变换的现有装置，难以满足这样的要求。 

发明内容

本发明是鉴于上述的情况而作出的，其目的在于，在通过所谓的浸渍处理对基板实施规定处理的基板处理装置中，对基板面更加均匀地实施处理，并提高处理能力。 

申请人鉴于上述问题起因于变换基板的姿势这一点上，研究了如下问题：为了在保持水平姿势的情况下进行从形成液层到除去液层为止的一系列处理，一边水平搬送基板一边对基板从其前端侧其依次供给流体(喷射)，由此除去液层。但是，存在破坏浸渍处理的稳定性的问题，即，若向基板喷射流体，则受到其影响而会导致液层的紊乱，处理液从基板流下等。因此，申请人经过进一步研究，发明了如下所述的基板处理装置。 

即，本发明的基板处理装置具有除去单元，该除去单元设置成对于水平支撑的基板能够相对移动，伴随着所述相对移动，从基板的一端侧向另一端侧除去在所述基板的上表面形成的处理液的液层，所述除去单元具有：流体供给部，其为了除去所述液层，在与所述相对移动的方向交叉的方向上横跨基板的整个宽度向基板上表面喷出调整过流量的除层用流体；消波部，其抑制在喷出所述除层用流体时所产生的所述液层的波纹，所述消波部具有与所述基板的上表面相对的对置面，所述消波部与所述基板上表面分离能够在该对置面与所述基板的上表面之间形成所述处理液的弯液面的距离，其中，相对于所述基板上的所述除层用流体的供给位置，在与所述相对移动方向上的上游侧相邻的位置上，所述对置面与所述基板的上表面相对。 

在该装置中，除去单元对于被水平支撑且形成有液层的基板相对移动，在该移动中，流体供给部向基板喷出除层用流体，以此从基板的一端侧向另一端侧依次除去液层。这时，在比该除层用流体的喷出位置更邻接于所述另一端侧的位置上，通过所述消波部抑制在喷出所述除层用流体时所产生的所述液层的波纹，从而能够良好地保持残留在基板上的液层的稳定性。因此，在不破坏浸渍处理的稳定性的情况下，在保持水平姿势的状态下能够良好地除去基板上的液层。 

而且，本发明的基板处理方法是一种使用该基板处理装置的基板处理方 法，液层形成工序，向水平支撑的基板的上表面从该基板的一端侧向另一端侧供给处理液，以此在基板上表面形成该处理液的液层；液层除去工序，使用所述基板处理装置，一边使所述除去单元对于形成有所述液层的所述基板相对移动，一边向所述基板的上表面喷出所述除层用流体，以此从该基板的所述一端侧向所述另一端侧除去所述液层。