[发明专利]制造反向T型浮动栅极存储器的方法

权利要求书

1.一种用来形成具有一存储装置的半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：

提供一半导体衬底；

在该衬底上形成一第一介电层；

在该第一介电层上形成一第一导电层；

擦除部分该第一导电层、部分该第一介电层以及部分该半导体衬底，以形成至少二个彼此隔开的浅沟槽，并由该第一导电层延伸至该半导体衬底；

在该多个浅沟槽内形成一绝缘层以填充该多个浅沟槽，并突出于该第一导电层的一顶表面，以提供至少二个绝缘突出部位；

沿着该多个绝缘突出部位的侧壁形成一侧壁绝缘体；以及

在该第一导电层上形成一第二导电层以填充至在侧壁绝缘体之间的缺口以形成一反向T型导体，该反向T型导体包含该第一导电层的一部位以及该第二导电层的一部位。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成该两个突出部位包含：

在该第一导电层上提供一保护层；

当擦除部分该第一导电层、部分该第一介电层及部分该半导体衬底，擦除部分该保护层时，以提供该两个浅沟槽，而该两个浅沟槽也延伸穿过该保护层；

在该浅沟槽中形成该第一绝缘层以填充该浅沟槽；以及

擦除突出于该第一导电层的一顶表面上并具有该第一绝缘层的该保护层，以提供该两个绝缘突出部位。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该保护层包含氮化硅。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中通过一湿法刻蚀工艺来擦除该保护层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一介电层包含隧穿氧化硅，以及该第一绝缘层包含氧化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该侧壁绝缘体包含氮化硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一导电层及该第二导电层至少一者包含多晶硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含在形成该反向T型导体后擦除该侧壁绝缘体。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包含在该反向T型导体和该第一绝缘层上形成一第二介电层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，其中该第二介电层包含一三层结构，该三层结构包含第一氧化硅层、在该第一氧化硅层上的一氮化硅层以及在该氮化硅层上的一第二氧化硅层。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包含在该第二介电层上形成一第三导电层，并刻蚀该第三导电层以形成一控制栅极。

12.一种用来形成具有一非易失存储装置的半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：

提供一半导体衬底；

在该衬底上形成一第一介电层；

在该第一介电层上形成一第一导电层；

在该第一导电层的上形成一保护层；

擦除部分该保护层、部分该第一导电层、部分该第一介电层以及部分该半导体衬底，以形成至少二个彼此隔开的浅沟槽，并由该第一导电层延伸至该半导体衬底；

在该多个浅沟槽内形成一绝缘层以填充该多个浅沟槽；

擦除突出于该第一导电层的一顶表面上并具有该第一绝缘层的该保护层以提供该两个绝缘突出部位；以及

在该绝缘突出部位之间形成一第二导电结构，且该第二导电结构较下方第一导电结构窄，以形成该一反向T型导体，该反向T型导体包含该第一导电层的一部位，以及该第二导电层的一部位。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，其中提供该第二导电结构包含：

沿着该绝缘突出部位的侧壁以形成侧壁绝缘体；以及

在该第一导电层之上，以及该多个侧壁绝缘体之间形成一第二导电层。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，其中形成在该浅沟槽中该第一绝缘层包含：

在该衬底上形成该第一绝缘层以填充该浅沟槽并覆盖该保护层；

擦除该第一绝缘层的一部位以暴露该保护层，并使该第一绝缘层的一顶表面与该保护层的一顶表面对准。