[发明专利]制造反向T型浮动栅极存储器的方法

说明书

技术领域

本发明关于一种制造存储装置的方法，而特别是具有一反向T型浮动电极的存储装置。

背景技术

存储装置是用来储存数据的装置，并通常实施于或构成一集成电路上。相较于易失性存储装置，像是DRAM(动态随机存取存储器)，非易失性存储装置可以在没有提供电力的状态下储存数据。也因此，非易失性存储装置可广泛地应用在存储卡或是便携式电子装置(例如：手机、MP3播放器、数码相机或其它消费性电子产品)的储存装置。因此，非易失性存储器像是闪存在近年来呈现指数型的成长。也因为这样成长的需求也预期此等存储装置会朝向低成本、低耗能、及高效能或高容量方面发展，也驱动了各种存储器设计上的发展。

在各种不同存储装置的设计中，浮动栅极结构是主要的非易失性存储器技术之一。举例来说，一浮动栅极设计结构一般是使用多晶硅浮动栅极来储存电荷，在与非门(NAND)快闪及/或或非门(NOR)快闪结构下，可安置一些浮动栅极构成存储阵列的形式。可以使用电荷隧穿技术安置在该浮动栅极中的电荷载子(例如：电子或空穴)，以编程或擦除一存储单元。

在不限制本发明的范围下，浮动栅极晶体管可以使用在各种装置中，以及一般地安装于非易失存储装置中，像是：快闪存储装置、可编程可擦除只读存储装置(EPROM)、电可编程可擦除只读存储装置(EEPROM)。举例来说，浮动栅极金氧半场效晶体管(MOSFETs)是一般地用于非易失存储器中。一浮动栅极金氧半场效晶体管(MOSFET)可包含一金氧半场效晶体管(MOSFETs)以及一个或更多的电容用来耦合控制电压至该浮动栅极。一浮动栅极是一多晶硅栅极被绝缘材料(例如：二氧化硅)所绝缘或是围绕。而该浮动栅极可储存电荷是因为其可完全地被一高质量的绝缘体所围绕。可以修改该浮动栅极的电荷，举例来说，在该源极、漏极及控制栅极终端施加电压来造成富勒-诺得罕隧穿及热载子注入。为了最大化本类型存储装置的储存效率，浮动栅极存储装置需要具有一更高耦合率。

发明内容

在本发明的一实施例中是揭露一种用来形成一非易失存储装置的方法。提供一半导体衬底，以及在该衬底上形成一第一介电层。在该第一介电层上形成一第一导电层。擦除部分该第一导电层、部分该第一介电层以及部分该半导体衬底，以形成至少二彼此隔开的浅沟槽，并由该第一导电层延伸至该半导体衬底。在该浅沟槽内形成一绝缘层以填充该浅沟槽，以及突出于该第一导电层的一顶表面以提供至少二绝缘突出部位。沿着该绝缘突出部位的侧壁形成一侧壁绝缘体。在该第一导电层上形成一第二导电层以填充至在侧壁绝缘体之间的缺口以形成一反向T型导体，该反向T型导体包含该第一导电层的一部位以及该第二导电层的—???部位。

在本发明的另一实施例中是揭露一种用来形成一非易失存储装置的方法。提供一半导体衬底，以及在该衬底上形成一第一介电层。在该第一介电层上形成一第一导电层，以及在该第一导电层的上形成一保护层。擦除部分该保护层、部分该第一导电层、部分该第一介电层以及部分该半导体衬底，以形成至少二彼此隔开的浅沟槽，并由该第一导电层延伸至该半导体衬底。在该浅沟槽内形成一绝缘层以填充该浅沟槽。擦除突出于该第一导电层的一顶表面上并具有该第一绝缘层的该保护层以提供该两个绝缘突出部位。在该绝缘突出部位之间形成一第二导电结构，且该第二导电结构较下方第一导电结构窄，以形成该一反向T型导体。该反向T型导体包含该第一导电层的一部位，以及该第二导电层的一部位。

附图说明

前述发明内容及接下来的简单图式说明，会帮助在阅读该附加示范的图式有更清楚的理解。然而，可理解的是，本发明并不局限图式中所绘示配置及所使用的方法。

图1绘示在先前技术中一浮动栅极晶体管的一实例。

图2绘示依据本发明实施例一示范的具有一反向T型浮动栅极的非易失存储装置结构。

图3A至图3H绘示依据本发明形成一非易失存储装置的一示范的工艺。

【主要元件符号说明】

100 浮动栅极晶体管

102、202 衬底

103、204 隧穿氧化层

104 源极

106 漏极

108 控制栅极

110 浮动栅极

116 介电层

200 非易失存储装置结构

210 反向T型浮动栅极

212 浅沟槽隔离

216 多晶硅层间介电层

218 字线层

302 半导体衬底

304 第一介电层

306 第一导电层

308 保护层

310 浅沟槽

312 第一绝缘层