[发明专利]晶圆表面与工艺微粒与缺陷的监控方法无效
| 申请号： | 200810175531.9 | 申请日： | 2002-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101409244A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈石晏;曾昭权 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 工艺 微粒 缺陷 监控 方法 | ||
1、一种晶圆表面微粒与缺陷的监控装置，其特征在于其包括：
一机台，量测在一晶圆实质有效表面上形成一实质均匀的共形披覆层，所监控的微粒与缺陷的尺寸为小于0.1微米。
2、根据权利要求1所述的晶圆表面微粒与缺陷的监控装置，其特征在于其中所述的共形披覆层的厚度介于1000埃至2000埃之间.
3、根据权利要求1所述的晶圆表面微粒与缺陷的监控装置，其特征在于其中所述的共形披覆层是利用一快速热工艺沉积机台而形成的。
4、根据权利要求1所述的晶圆表面微粒与缺陷的监控装置，其特征在于其中所述的共形披覆层的形成时间介于6分钟至10分钟之间。
5、根据权利要求1所述的晶圆表面微粒与缺陷的监控装置，其特征在于其中所述的共形披覆层的形成压力介于250Torr至300Torr之间。
6、根据权利要求1所述的晶圆表面微粒与缺陷的监控装置，其特征在于其中所述的共形披覆层的形成温度是介于700摄氏度至800摄氏度之间。
7、根据权利要求1所述的晶圆表面微粒与缺陷的监控装置，其特征在于其中所述的共形披覆层的材质是选自氮化硅、多晶硅或氧化硅。
8、一种晶圆表面微粒与缺陷的侦测方法，其利用一量测机台，侦测一晶圆实质有效表面上小于0.1微米的微粒与缺陷，其特征是，
在监测之前，先在该晶圆实质有效表面上形成一实质均匀的共形披覆层，并控制其厚度使该表面上可能有效的微粒与缺陷轮廓被适当放大，该共形披覆层的厚度介于1000埃至2000埃之间。
9、根据权利要求8所述的晶圆表面微粒与缺陷的侦测方法，其特征是，形成该共形披覆层的方法是利用一快速热工艺沉积机台而形成的。
10、根据权利要求9所述的晶圆表面微粒与缺陷的侦测方法，其特征是，形成该共形披覆层的压力介于250Torr至300Torr之间。
11、根据权利要求9所述的晶圆表面微粒与缺陷的侦测方法，其特征是，形成该共形披覆层的时间介于6分钟至10分钟之间。
12、根据权利要求9所述的晶圆表面微粒与缺陷的侦测方法，其特征是，形成该共形披覆层的温度是介于700摄氏度至800摄氏度之间。
13、根据权利要求8所述的晶圆表面微粒与缺陷的侦测方法，其特征是，该共形披覆层的材质是选自氮化硅、多晶硅或氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
