[发明专利]晶圆表面与工艺微粒与缺陷的监控方法

说明书

本发明是申请号：02106865.8申请日：2002年3月6日

发明名称：晶圆表面与工艺微粒与缺陷的监控方法的分案申请。

技术领域

本发明是有关于一种半导体工艺的监控方法，且特别是有关于一种晶圆表面与工艺微粒((Particle)与缺陷(Defect)的监控方法。

背景技术

通常一半导体厂的工艺流程中，在一些关键的工艺步骤之后，都会设置一监测站。设置此监测站的目的是为了监测晶圆在当次的关键工艺中，监测是否有微粒附着或者是有缺陷形成。由于在这些关键的工艺步骤里，倘若晶圆上有微粒的附着或是缺陷形成，可能会影响后续所形成的器件。因此，监测晶圆上是否有微粒的附着或是缺陷的形成是非常重要的。

而公知对于晶圆表面与工艺微粒与缺陷的监控方法，是在晶圆于一特定工艺完成之后，便直接将晶圆送进一量测机台。利用此量测机台以监测此晶圆上是否有微粒附着或者是否有缺陷形成。

然而，当于晶圆上所附着的微粒尺寸或者是于晶圆上所形成的缺陷的尺寸小于量测机台的侦测极限时(目前量测机台的侦测极限是仅能量测到0.1微米以上的微粒与缺陷)，此量测机台便无法监测出此晶圆上是否有微粒的附着或者是有缺陷的形成。特别的是，随着集成电路集成度的提高，器件尺寸也随之缩小。由于对于尺寸愈小的器件，其微小缺陷的形成或微小颗粒的附着，会使器件受到愈严重的影响。

发明内容

本发明的目的就是在提供一种晶圆表面与工艺微粒与缺陷的监控方法，以解决当晶圆上的缺陷或微粒的尺寸小于量测机台的侦测极限时，便无法量测出晶圆上是否有微粒附着或者是否有微小缺陷形成的问题。

为达到上述目的，本发明提出一种晶圆表面微粒与缺陷的监控方法，此方法利用一量测机台以监测一晶圆实质有效表面上的微粒与缺陷。其中晶圆表面上的微粒与缺陷包括尺寸小于0.1微米的微粒与缺陷。在监测之前，先在晶圆实质有效表面上形成一实质均匀的共形披覆层，并控制其厚度使晶圆表面上可能有效的微粒与缺陷轮廓被适当放大。其中，此共形披覆层是在一快速热工艺沉积机台(Thermal Process Common Centura)中形成的。且所形成的共形披覆层的厚度为1000埃至2000埃左右。形成此共形披覆层的时间仅需6分钟至10分钟的时间。而此共形披覆层的材质可以是氮化硅、多晶硅或氧化硅。

本发明提出一种晶圆表面微粒与缺陷的监控方法，用以监控一工艺机台在生产时可能产生的微粒与缺陷量。此方法首先将一控片置于一工艺机台中，并仿真工艺状态。之后在控片表面上成长一层实质均匀的共形披覆层，并控制其厚度使控片表面上可能有的微粒与缺陷轮廓被适当放大。其中，此共形披覆层是在一快速热工艺沉积机台中形成的。且所形成的共形披覆层的厚度为1000埃至2000埃左右。形成此共形披覆层的时间仅需6分钟至10分钟的时间。而此共形披覆层的材质可以是氮化硅、多晶硅或氧化硅。最后，利用一量测机台，对共形披覆层表面进行量测，以发现可能的微粒与缺陷。

本发明的晶圆表面与工艺微粒与缺陷的监控方法，是通过于晶圆表面上或一控片表面沉积一层共形的披覆层，以使原先无法被量测机台所量到的微粒与缺陷被放大。如此，便可以解决公知方法中因微粒与缺陷的尺寸低于量测机台的侦测极限时便无法量测到的问题。

本发明的晶圆表面与工艺微粒与缺陷的监控方法，其于晶圆表面以及控片表面上形成共形披覆层的方法使用快速热工艺沉积机台而形成。由于以快速热工艺沉积机台形成约1000埃至2000埃厚度的批覆层仅需6分钟至10分钟左右的时间。因此，本发明以快速热工艺沉积机台来形成此共形批覆层并不会使晶圆监测的时间增加过多。

附图说明

图1A至图1B为依照本发明一较佳实施例的晶圆缺陷的监测方法的流程剖面示意图。

100：晶圆        102：微粒

104：缺陷        106：共形披覆层

108，110：尺寸

具体实施方式

图1A至图1B，其为依照本发明一较佳实施例的晶圆缺陷的量测方法的流程剖面示意图。