[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

源极/漏极导体，在衬底上由第一金属材料线形成；

第一栅极导体，由第二金属材料线形成，其中将该第一栅极导体设置为 临近位于该源极/漏极导体一端的该源极/漏极导体的第一部分；以及

第二栅极导体，由第三金属材料线形成，其中将该第二栅极导体设置为 临近位于该源极/漏极导体的另一端的该源极/漏极导体的第二部分，

其中将该第一栅极导体连接至与该第二栅极导体不同的电源，使得经由 不同的电路而对该第一栅极导体和该第二栅极导体提供不同的电流。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中将该第一栅极导体和该第二 栅极导体沿该源极/漏极导体的同一侧以彼此间隔的方式设置。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中将该第一栅极导体和该第二 栅极导体以正交方式排列在该源极/漏极导体附近。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中将该第一栅极导体设置在该 源极/漏极导体的同一水平面上；以及其中将该第二栅极导体设置在该源极/ 漏极导体的同一垂直面上。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中该第二栅极导体与该源极/漏 极导体上表面相间隔的距离等于该第一栅极导体与该源极/漏极导体侧表面 相间隔的距离。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：第一绝缘层，其中 形成有该第一栅极导体和该源极/漏极导体；以及第二绝缘层，位于该第一栅 极导体和该源极/漏极导体上，并且在该第二绝缘层中形成有该第二栅极导 体。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中该第一绝缘层和该第二绝缘 层包括不同材料。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中该第一绝缘层和该第二绝缘 层中的至少之一包括具有热传递常数的材料。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中该第二绝缘层的厚度等于或 大于该第二栅极导体的厚度。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中将该源极/漏极导体排列成 直线，并且将该第一栅极导体和该第二栅极导体中的至少之一排列成“n” 型的弯曲线。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中将该第一栅极导体连接至该 第二栅极导体的同一电源，使得经由相同的电路而对该第一栅极导体和该第 二栅极导体提供相同的电流。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中将该源极/漏极导体、该第 一栅极导体以及该第二栅极导体平行排列于单一绝缘层上。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中该单一绝缘层包括具有热 传递常数的材料。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中该单一绝缘层由厚度在10 nm到20nm之间的导体形成。

15.一种半导体器件，包括：

源极/漏极导体，在衬底上由第一金属材料线形成；

第一栅极导体，由第二金属材料线形成，其中将该第一栅极导体设置为 临近位于该源极/漏极导体一端的该源极/漏极导体的第一部分；以及

第二栅极导体，由第三金属材料线形成，其中将该第二栅极导体设置为 临近位于该源极/漏极导体的另一端的该源极/漏极导体的第二部分，

其中该第一栅极导体和该第二栅极导体由具有不同温度常数的材料形 成，使得该第一栅极导体具有与该第二栅极导体不同的温度常数。