[发明专利]接合体的剥离方法

权利要求书

1.一种接合体的剥离方法，其特征在于，

在第1基材与第2基材隔着含有硅酮材料的接合膜接合而成的接合体中，向所述接合膜赋予剥离用能量，切断构成所述硅酮材料的分子键的一部分，由此在所述接合膜内产生分裂，从所述第1基材剥离所述第2基材。

2.根据权利要求1所述的接合体的剥离方法，其中，

所述接合体经过如下所述的工序得到，即：

通过向所述第1基材及所述第2基材的至少一方，供给含有所述硅酮材料的液态材料，形成液态被膜的工序；

干燥所述液态被膜，在所述第1基材及所述第2基材的至少一方得到接合膜的工序；

通过向所述接合膜赋予接合用能量，在所述接合膜的表面附近显现粘接性，隔着该接合膜接合所述第1基材和所述第2基材的工序。

3.根据权利要求1所述的接合体的剥离方法，其中，

所述接合体经过如下所述的工序得到，即：

在所述第1基材及所述第2基材的至少一方，使用等离子聚合法形成所述接合膜的工序；

通过向所述接合膜赋予接合用能量，在所述接合膜的表面附近显现粘接性，隔着该接合膜接合所述第1基材和所述第2基材的工序。

4.根据权利要求3所述的接合体的剥离方法，其中，

在所述等离子聚合法中，作为所述接合膜的原料，使用八甲基三硅氧烷。

5.根据权利要求2～4中任意一项所述的接合体的剥离方法，其中，

所述接合用能量的赋予，利用向所述接合膜照射能量线的方法、加热所述接合膜的方法以及向所述接合膜赋予压缩力的方法中的至少一种方法进行。

6.根据权利要求2～4中任意一项所述的接合体的剥离方法，其中，

所述剥离用能量的大小大于所述接合用能量的大小。

7.根据权利要求1～4中任意一项所述的接合体的剥离方法，其中，

所述硅酮材料的主骨架由聚二甲基硅氧烷构成。

8.根据权利要求1～4中任意一项所述的接合体的剥离方法，其中，

所述硅酮材料具有硅烷醇基。

9.根据权利要求1～4中任意一项所述的接合体的剥离方法，其中，

所述剥离用能量的赋予，利用向所述接合膜照射能量线的方法及加热所述接合膜的方法中的至少一种方法进行。

10.根据权利要求9所述的接合体的剥离方法，其中，

所述能量线为波长126～300nm的紫外线。

11.根据权利要求9或10所述的接合体的剥离方法，其中，

所述加热的温度为100～400℃。

12.根据权利要求9或10所述的接合体的剥离方法，其中，

所述剥离用能量的赋予是在大气气氛中进行。

13.根据权利要求1～4中任意一项所述的接合体的剥离方法，其中，

所述接合膜的平均厚度为10～10000nm。

14.根据权利要求1～4中任意一项所述的接合体的剥离方法，其中，

所述第1基材及所述第2基材的至少与所述接合膜接触的部分以硅材料、金属材料或玻璃材料作为主要材料构成。

15.根据权利要求1～4中任意一项所述的接合体的剥离方法，其中，

于所述第1基材及所述第2基材的与所述接合膜接触的面，预先实施了提高与所述接合膜的附着力的表面处理。

16.根据权利要求15所述的接合体的剥离方法，其中，

所述表面处理为等离子处理或紫外线照射处理。