[发明专利]制造LCD驱动IC的方法

权利要求书

1.一种制造LCD驱动IC的方法，包括：

通过在半导体衬底上顺序形成多个栅极绝缘膜和栅电极来在所述半导体衬底上形成多个栅极图样；

顺序沉积覆盖所述栅电极的第一隔离体材料层、不同于所述第一隔离体材料层的第二隔离体材料层、以及不同于所述第二隔离体材料层的第三隔离体材料层；

通过在所述第一隔离体材料层、所述第二隔离体材料层以及所述第三隔离体材料层上实施凹蚀工艺来分别在所述栅电极的侧壁上形成隔离体以便所述第一隔离体材料层在所述半导体衬底上残留；以及

刻蚀所述第一隔离体材料层以控制所述第一隔离体材料层的厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述栅电极的所述侧壁上形成所述隔离体包括：

在所述第三隔离体材料层上实施所述凹蚀工艺；以及

通过湿法刻蚀去除所述暴露的第二隔离体材料层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述第一隔离体材料层上的所述凹蚀工艺包括等离子干法刻蚀。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过干法刻蚀来控制所述第一隔离体材料层的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一隔离体材料层、第二隔离体材料层和第三隔离体材料层分别包含第一氧化硅、氮化硅和第二氧化硅。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一隔离体材料层和所述第三隔离体材料层包括TEOS基氧化硅。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述湿法刻蚀包括使用选自由氢氟酸(HF)、硝酸(HNO₃)、醋酸(CH₃COOH)和磷酸(H₃PO₄)组成的组中的至少一种酸的水溶液的刻蚀。

8.根据权利要求2所述的方法，在去除所述暴露的第二隔离体材料层之后，进一步包括，清洗所述半导体衬底。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，使用具有四甲基胺氢氧化物(TMH)∶H₂O₂∶H₂O＝1∶2.3∶36.7的组成比的清洗溶液来清洗所述半导体衬底10分钟到30分钟。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一隔离体材料层具有在50埃到300埃的范围内的厚度，而所述第二隔离体材料层具有在100埃到300埃的范围内的厚度。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述多个栅极图样包括在1.8V到5V电压下工作的低电压晶体管栅极图样、在5V到15V电压下工作的中电压晶体管栅极图样和在15V到40V电压下工作的高电压晶体管栅极图样。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述多个栅极图样包括具有第一厚度的低电压栅极绝缘层、具有比所述第一厚度大的第二厚度的第二栅极绝缘层以及具有比所述第二厚度大的第三厚度的第三栅极绝缘层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一厚度是10埃到30埃，所述第二厚度是100埃到150埃，而所述第三厚度是700埃到800埃。