[发明专利]制造LCD驱动IC的方法

说明书

本申请要求第10-2007-0123431号(于2007年11月30日递交)韩国专利申请的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，更具体地，涉及一种LCD驱动IC以及制造LCD驱动IC的方法。

背景技术

液晶显示器件能够用作低功耗、高清晰度和大尺寸的显示器件，因此现在正对其进行大力地研究。液晶显示器件包括液晶面板和用来驱动液晶面板的LCD驱动IC(有时称为LDI)。液晶面板包括多个像素单元，每一个像素单元包括液晶电容器和使液晶电容器接通和断开的薄膜晶体管。像素单元连接至液晶面板的源极线和栅极线并且以矩阵排列，而源极线和栅极线连接至LCD驱动IC。

驱动IC包括驱动源极线的源极驱动器和驱动栅极线的栅极驱动器。最近，已经提出了仅包括源极驱动器的驱动IC(栅极驱动器安置在液晶面板中)。通常，LCD驱动IC包括晶体管，这些晶体管工作在不同的驱动电压区中以在液晶面板上显示不同的灰度(grayscales)和颜色。驱动IC的这些晶体管一般在一个半导体衬底上，集成在单个芯片中。

在用于形成上述晶体管的过程中，可能不能通过制造过程期间的各种限制因素来精确地控制隔离体(spacer)形成过程。例如，当过分地实施用于形成隔离体的凹蚀(etchback)工艺时，半导体衬底的所暴露的有源区可能被过刻蚀(over-etched)，而当实施凹蚀工艺不充分时，可能在有源区上残留不期望的隔离体材料。

图1是概念性示出了隔离体形成过程在驱动IC的晶体管1、2和3的性能上影响的横截面图。这里，参考标号10表示半导体衬底，参考标号15表示隔离层，参考标号21表示栅极绝缘层，参考标号22表示栅电极，参考标号23表示隔离体，以及参考标号20表示栅极。

在驱动IC的像素控制区中布置的晶体管1、2和3中，在实施用于形成隔离体的凹蚀工艺不充分并因此在有源区上残留隔离体材料层23a的情况下，残留的隔离体材料层23a可以用作阻挡层(barrier layer)来以在随后的离子注入工艺中阻挡杂质离子，从而杂质可能不能被精确地注入到指定的深度。更具体地，在高电压晶体管3中，当杂质没有被注入到指定的深度而在源极/漏极区的附近相对较浅时，可能产生结电流(例如，漏电流)，且因此引起IC的相对差的性能和/或故障。此外，在过分地实施凹蚀工艺(例如，为了解决上述问题)的情况下，高电压晶体管3可能不具有任何问题，但是由于被损害的有源区(例如，由于过刻蚀或由于离子直接注入至衬底中)，低电压晶体管1和中电压晶体管2的可靠性可能降低。同样，在驱动IC的逻辑区中布置的晶体管中，以与上述像素控制区中的晶体管相同的方式，当过分刻蚀有源区上的隔离体材料层时，可能引起诸如在驱动期间IC的可靠性降低的问题。

发明内容

因此，本发明针对一种LCD驱动IC以及制造LCD驱动IC的方法。

本发明的一个目的在于提供一种LCD驱动IC以及一种制造具有晶体管的LCD驱动IC的方法，这些晶体管具有不同的工作电压，在该方法中精确地控制用来形成隔离体的隔离体材料层的厚度以便如其所设计地来实施离子注入工艺。

为了实现这个目的以及根据本发明目的的其他优点，如在本文中所体现和概括描述的，制造LCD驱动IC的方法可以包括：通过在半导体衬底上顺序形成栅极绝缘膜和栅电极来在半导体衬底上形成多个栅极图样；顺序沉积多个覆盖栅电极的隔离体材料层；通过在多个隔离体材料层上实施凹蚀工艺来分别在栅电极的侧壁上形成隔离体以便最下隔离体材料层残留在半导体衬底上；以及通过刻蚀最下隔离体材料层来控制最下隔离体材料层的厚度(或去除最下隔离体材料层)。

可以理解的是，本发明的上述总体描述和以下的具体描述都是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求的本发明的进一步解释。

附图说明

附图被包括用来提供对本发明的进一步理解，并结合于此而构成本申请的一部分。附图示出了本发明的具体实施方式并连同说明书用于阐述本发明的原理。在附图中：

图1是概念性地示出了隔离体形成工艺在驱动IC中的晶体管的性能上影响的横截面图。

图2到图5是顺序地示出了根据本发明实施例的示例性LCD驱动IC以及制造LCD驱动IC的示例性过程的横截面图。

具体实施方式

现在将详细地参照本发明的各种实施方式，其实施例在附图中示出。

图2到图5是顺序地示出了制造根据本发明实施例的LCD驱动IC的示例性过程的横截面图。