[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810176820.0 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101499488A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 白宗玟;郑圣熙;崔吉铉;车泰昊;朴嬉淑;李柄学;朴在花 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L23/532;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括W-Ni合金薄层，
其中该W-Ni合金薄层中Ni的重量在该W-Ni合金薄层的总重量的0.01 至5.0wt％的范围，其余为W。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中该W-Ni合金薄层中Ni的重 量在该W-Ni合金薄层的总重量的0.01至2.0wt％的范围。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中该W-Ni合金薄层中Ni的重 量在该W-Ni合金薄层的总重量的0.01至1.0wt％的范围。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中该W-Ni合金薄层构成栅极图 案的一部分。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中该W-Ni合金薄层构成位线图 案的一部分。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中该W-Ni合金薄层构成接触图 案的一部分。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中该W-Ni合金薄层构成布线图 案的一部分。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其中该W-Ni合金薄层通过在750 到950℃的温度范围对至少一W薄层和至少一Ni薄层的复合薄层退火5到 15分钟的时间范围而形成，该复合薄层通过交替且顺序地沉积该至少一W 薄层和该至少一Ni薄层而形成。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其中该W-Ni合金薄层利用包含W 和Ni的溅射靶通过物理气相沉积形成。
10.一种半导体器件，包括：
栅极绝缘层图案；
形成于该栅极绝缘层图案上的多晶硅层图案；
形成于该多晶硅层图案上的欧姆接触层；
形成于该欧姆接触层上的阻挡层；及
形成于该阻挡层上的栅电极层，
其中该栅电极层包括W-Ni合金薄层，且
其中该W-Ni合金薄层中Ni的重量在该W-Ni合金薄层的总重量的0.01 至5.0wt％的范围，其余为W。
11.如权利要求10所述的半导体器件，其中该欧姆接触层包括WSix、 Ti、或WSix和Ti的组合。
12.如权利要求10所述的半导体器件，其中阻挡层包括TiN、WN、或 TiN和WN的组合。
13.如权利要求10所述的半导体器件，其中该W-Ni合金薄层中Ni的 重量在该W-Ni合金薄层的总重量的0.01至2.0wt％的范围。
14.如权利要求10所述的半导体器件，其中该W-Ni合金薄层中Ni的 重量在该W-Ni合金薄层的总重量的0.01至1.0wt％的范围。
15.如权利要求10所述的半导体器件，其中该W-Ni合金薄层通过在750 到950℃的温度范围对至少一W薄层和至少一Ni薄层的复合薄层退火5到 15分钟的时间范围而形成，该复合薄层通过交替且顺序地沉积该至少一W 薄层和该至少一Ni薄层而形成。
16.如权利要求10所述的半导体器件，其中该W-Ni合金薄层利用包含 W和Ni的合金的溅射靶通过物理气相沉积形成。
17.一种制造具有W-Ni合金薄层的半导体器件的方法，该W-Ni合金薄 层构成栅极图案的一部分、位线图案的一部分、接触图案的一部分、或布线 图案的一部分，该方法包括：
通过交替且顺序地沉积至少一W薄层和至少一Ni薄层形成包括该至少 一W薄层和该至少一Ni薄层的复合薄层；以及
退火该复合薄层，
其中该W-Ni合金薄层中Ni的重量在该W-Ni合金薄层的总重量的0.01 至5.0wt％的范围，其余为W。
18.如权利要求17所述的方法，其中在该复合薄层的形成中，该至少一 W薄层和该至少一Ni薄层通过物理气相沉积形成。
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