[发明专利]对利用电磁耦合器的高速总线模拟验证的方法及设备有效
申请号: | 200810176908.2 | 申请日: | 2008-09-26 |
公开(公告)号: | CN101424720A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | T·欣克;L·塔特;J·本哈姆;J·克里特克洛 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G06F11/22 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 柯广华;王丹昕 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 电磁 耦合器 高速 总线 模拟 验证 方法 设备 | ||
技术领域
本发明涉及电磁探测领域,尤其涉及利用电磁耦合器的高速总线 模拟验证的方法及设备。
背景技术
输入/输出(I/O)总线探测一直使用各种直连技术实现,示例直 连技术可包括连接到示波器或逻辑分析器的基于阻抗的探测器技术。 但是,当总线加速到更高级别的数据速率时,传统直连探测可能产生 测试链接(LUT)的信号完整性问题。
发明内容
本发明的第一方面在于一种设备,包括:电子元件,所述电子元 件用于接收来自电磁耦合器的采样电磁信号、放大和恢复类微分输出 信号,并通过单位传递函数提供恢复的采样电磁信号给示波器。
本发明的另一方面在于一种设备,包括:用于对来自测试线路的 信号进行采样的部件;用于放大并恢复输出信号的部件;用于通过单 位传递函数传输EM信号到示波器的部件。
本发明的又一方面在于一种系统,包括:电磁耦合器,所述电磁 耦合器用于接收基于链路上数据的电磁信号;电子元件,所述电子元 件用于从所述电磁耦合器接收所述电磁信号并且放大和恢复类微分输 出信号,所述电子元件包括自动增益控制器以通过单位传递函数提供 信号给分析器件;以及所述分析器件,所述分析器件用于接收所述恢 复的电磁信号以使对应于所述恢复的电磁信号的数据信号能够被验 证。
附图说明
当结合附图阅读时,根据本发明对器件的详细描述、优选实施例 及权利要求,本发明的实施方式将更易理解。虽然之前及下面的文字 及图示公开内容集中在本发明的公开器件及优选实施例,但可清楚地 理解它们仅是说明和示例并且本发明的实施方式也不局限于此。
下面是对附图的简单描述,图中类似的组件使用类似的附图标记 进行表示,其中:
图1是根据本发明的示例实施例,对使用电磁耦合器的高速总线 进行模拟验证的示例系统的方框图;
图2是根据本发明的示例实施例,对使用电磁耦合器的高速总线 进行模拟验证的示例电子元件解决方案的方框图;
图3是根据本发明的示例实施例,适于实现对使用电磁耦合器的 高速总线模拟验证的示例电子装置的方框图。
具体实施方式
在下面的详细描述中,将会参考本发明实施例给出示例尺寸/模型 /取值/范围,也会用到其他实施例。虽然为了描述本发明的示例实施 例而提到了特定细节,但对本领域技术人员显而易见的是无需这些特 定细节,本发明也是可以实施的。
在下面的讨论中,将会用到术语耦合器探测器及耦合器,上述术 语是可互换的。此外,不同器件将标记为第一、第二和/或第三器件。 术语第一、第二和/或第三的使用只是符号,不用于确定器件相对于其 它器件的特定位置。
本发明的实施例将给出用于直连电磁(EM)耦合器探测器(或耦 合器)的电子元件。EM耦合器探测器(例如直连耦合器探测器)利用 耦合自测试链路LUT上信号的串扰来采样测试链路(LUT)。采样信号 用于恢复LUT中出现的模拟信号。在一个实施例中,利用电子接收元 件实现上述功能(下文中也称为电子元件)。耦合器探测器输出LUT 信号的类微分(derivative-like)信号。通过对所述信号积分,恢复 LUT输出信号。由于积分函数是微分函数的逆运算,所以基带信号以 成比例的形式得到恢复。在一个实施例中,包括了放大及单位传递函 数(unity transfer function)以提供对LUT信号的精确近似。本发 明的实施例将利用分析器件提供对信令验证或逻辑调试的探测。
图1是根据本发明的一个示例实施例,对使用电磁耦合器的高速 总线的模拟验证的示例系统的结构图。也可使用其他实施例及配置。 图1显示了通过LUT 106耦合的传送器件102及接收器件104。术语 LUT是指传送器件102及接收器件104之间的至少一个信号连接。虽 然下文使用术语LUT,但传送器件102及接收器件104可以通过总线、 互联、信号线、印刷电路板(pcb)迹线、挠性电缆、微同轴(micro-coax) 和/或其他电子连接部件耦合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810176908.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光学元件以及光学元件生产用的原盘的制造方法
- 下一篇:空调及其操作方法