[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

单位晶胞，其包括晶体管和用于存储电荷的电容器，所述晶体管的基体是浮接的；

字线，其用于激活所述单位晶胞；以及

位线，其用于将数据传送至所述单位晶胞。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

输入的数据被存储在所述电容器和所述基体这两者中。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，

所述基体根据由所述位线传递的数据所确定的热载流子的产生来存储空穴。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

当将高于电源电压的电压供应至所述字线时，将通过所述位线传送的数据存储在所述电容器中。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，

当在与数据“1”对应的电压电平的1/3至1/2的范围内的栅极电压施加至所述字线时，所述基体根据与传送至所述位线的数据对应地确定的热载流子的产生来存储空穴。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

当供应低于与数据“0”对应的电压电平的电压时，连接至所述字线的单位晶胞未激活。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

在不传送数据时，所述位线保持预充电电压电平。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中，

将电压电平与所述预充电电压相同的电压供应至与所述电容器的一侧连接的板极。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，

当将与数据“1”对应的逻辑电平存储在所述单位晶胞中时，所述晶体管的临界电压降低。

10.一种操作半导体存储装置的方法，所述方法包括：

响应于写入指令，依次地将数据存储在单位晶胞的电容器以及晶体管的浮体中；

响应于读出指令，从所述单位晶胞的电容器和所述浮体中输出数据；以及

响应于刷新命令，依次地刷新所述电容器以及所述浮体。

11.根据权利要求10所述的方法，包括：

在未选择所述单位晶胞时，在位线上保持预充电电压，并且在字线上保持非激活电压。

12.根据权利要求11所述的方法，包括：

将电平与所述预充电电压相同的电压供应至与所述电容器的一侧连接的板极。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，

依次地存储数据的步骤包括：

将第一控制电压供应至字线以将传送至位线的数据存储在所述电容器中；

将第二控制电压供应至所述字线以将所述数据存储在所述浮体中；以及

将非激活电压供应至所述字线以使所述单位晶胞非激活。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，

供应所述第二控制电压的步骤包括：

当所述数据是“1”时，将电平高于与数据“1”对应的逻辑高电平的高数据电压供应到所述位线；

通过与所述第二控制电压和所述高数据电压对应地形成的热载流子在所述浮体中保留多个空穴；以及

当所述数据是“0”时，将与数据“0”对应的逻辑低电平供应到所述位线以避免产生热载流子。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，

所述第一控制电压是高于电源电压的电压，并且所述第二控制电压在所述逻辑高电平的1/3至1/2或所述高数据电压电平的1/3至1/2的范围内。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，

若第一电压包括当未在所述浮体中存储空穴时维持反向所需的电压、以及在存储空穴时所述浮体的电压升高值，并且第二电压包括所述第一电压、以及根据从非激活电压改变为高电压的所述字线的电位而定的浮体的电压升高值时，则所述逻辑低电平的电位电平高于所述第一电压，但低于所述第二电压。