[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一字线，其连接至纵向晶体管的栅极；以及

第二字线，其构造成将栅极电源供应至所述第一字线。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一字线的一端形成为垫型。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第二字线在所述第一字线的上方与所述第一字线平行地形成。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第二字线包括金属线。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

接触插塞，其构造成将所述第二字线连接至所述第一字线。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，

所述接触插塞在所述第一字线的一端形成。

7.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体基板上形成纵向晶体管；

在所述纵向晶体管的底部形成位线；

与所述位线垂直地形成第一字线，所述第一字线构造成将所述纵向晶体管的栅极连接起来；

在所述纵向晶体管上形成层间绝缘膜；

对所述层间绝缘膜的一部分进行蚀刻以形成触点孔，所述触点孔使所述第一字线的一端露出；以及

在所述触点孔中填充插塞材料以形成接触插塞，并且形成第二字线，所述第二字线连接至所述接触插塞并且布置成与所述第一字线平行。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

所述第一字线的一端形成为垫型。

9.根据权利要求7所述的方法，包括：

所形成的第二字线包括金属线。

10.根据权利要求7所述的方法，包括：

在形成外围电路区域的栅电极时形成所述第二字线。

11.根据权利要求7所述的方法，包括：

在形成外围电路区域的位线电极时形成所述第二字线。

12.根据权利要求7所述的方法，还包括：

形成与所述纵向晶体管的顶部连接的存储节点接触插塞。

13.根据权利要求12所述的方法，包括：

利用所述第二字线通过自对准接触工序来形成所述存储节点接触插塞。