[发明专利]反式取代环己烷羧酸类、以及反式/反式二环己烷二羧酸类的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及制造反式体的比例高的取代环己烷羧酸类、以及反式/反式体的比例高的二环己烷二羧酸类的方法。

背景技术

环己烷羧酸的反式体、以及二环己烷二羧酸的反式/反式体作为液晶材料、医药品、高分子材料等各种领域的中间体是有用的。获得环己烷羧酸的反式体的方法、以及将二环己烷二羧酸的顺式/顺式体、顺式/反式体异构化成反式/反式体的方法已经提出有各种方法(例如，专利文献1～6及非专利文献1)。但是，以往提出的任何方法都是在严格的反应条件下进行反应，因此希望有在更加温和的条件下获得环己烷羧酸类的反式取代体、以及二环己烷二羧酸类的反式/反式取代体的方法。

专利文献1：日本特开平10-237015号公报

专利文献2：日本特开2000-191602号公报

专利文献3：日本特开2003-96026号公报

专利文献4：日本特开2003-128620号公报

专利文献5：日本特开2004-307468号公报

专利文献6：日本特公昭39-27244号公报

非专利文献1：Tetrahedron Letters 2004，45，6669-72

发明内容

本发明的课题是提供能够制造反式体的比例高的环己烷羧酸类、以及反式/反式体的比例高的二环己烷二羧酸类的新型方法。

用于解决上述课题的手段如下所述。

[1]一种制造取代环己烷羧酸酰卤的方法，其中，在强酸的存在下，将反式体的比例为a％(其中0≤a)的取代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰基，从而制造反式体的比例为b％(其中a<b)的取代环己烷羧酸酰卤。

[2]一种取代环己烷羧酸的制造方法，其特征在于，该制造方法包含以下工序：

第1工序，在该工序中，在强酸的存在下，将反式体的比例为a％(其中0≤a)的取代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰基，从而得到取代环己烷羧酸酰卤，和，

第2工序，在该工序中，将第1工序中得到的取代环己烷羧酸酰卤的卤代羰基水解，从而得到反式体的比例为c％(其中a<c)的取代环己烷羧酸。

[3]一种取代环己烷羧酸酯或取代环己烷羧酸酰胺的制造方法，其特征在于，该制造方法包含以下工序：

第1工序，在该工序中，在强酸的存在下，将反式体的比例为a％(其中0≤a)的取代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰基，从而得到取代环己烷羧酸酰卤，和，

第2工序，在该工序中，使第1工序中得到的取代环己烷羧酸酰卤与含有羟基的化合物或含有氨基的化合物或含氮杂环化合物反应，从而得到反式体的比例为d％(其中a<d)的取代环己烷羧酸酯或取代环己烷酰胺。

[4]一种制造二环己烷二羧酸酰卤的方法，其中，在强酸的存在下，将二环己烷环上的1位和4位、以及1’位和4’位的立体关系中反式/反式体的比例为e％(其中0≤e)的二环己烷二羧酸的羧基转变为卤代羰基，从而制造反式/反式体的比例为f％(其中e<f)的二环己烷二羧酸酰卤。

[5]一种二环己烷二羧酸的制造方法，其特征在于，该制造方法包含以下工序：

第1工序，在该工序中，在强酸的存在下，将二环己烷环上的1位和4位、以及1’位和4’位的立体关系中反式/反式体的比例为e％(其中0≤e)的二环己烷二羧酸的羧基转变为卤代羰基，和，

第2工序，在该工序中，将第1工序中得到的二环己烷二羧酸酰卤的卤代羰基水解，从而得到反式/反式体的比例为g％(其中e<g)的二环己烷二羧酸。

[6]一种二环己烷二羧酸二酯或二环己烷二羧酸二酰胺的制造方法，其特征在于，该制造方法包含以下工序：

第1工序，在该工序中，在强酸的存在下，将二环己烷环上的1位和4位、以及1’位和4’位的立体关系中反式/反式体的比例为e％(其中0≤e)的二环己烷二羧酸的羧基转变为卤代羰基，从而得到二环己烷二羧酸酰卤，和，

第2工序，在该工序中，使第1工序中得到的二环己烷二羧酸酰卤与含有羟基的化合物或含有氨基的化合物或含氮杂环化合物反应，从而得到反式/反式体的比例为h％(其中e<h)的二环己烷二羧酸二酯或二环己烷二羧酸二酰胺。

[7]根据[1]～[6]中任一项所述的方法，其特征在于，卤代羰基是氯代羰基。

[8]根据[1]～[7]中任一项所述的方法，其特征在于，所述强酸是硫酸或磺酸。