[发明专利]显示面板及其制造方法有效
申请号: | 200810178321.5 | 申请日: | 2008-11-28 |
公开(公告)号: | CN101447459A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 当山忠久;尾崎刚 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示面板的制造方法,所述显示面板具备由第一电极、至少由一层构成的载流子输送层、和第二电极层叠而成的发光元件,其中,该方法包括以下工序:
在基板上的规定区域上形成所述第一电极的工序;
在包含所述第一电极的所述基板上形成绝缘膜的工序;
在所述绝缘膜上形成第一半导体层的工序;
在所述第一半导体层上形成掺杂了杂质的n+硅层的工序;
通过蚀刻气体将所述掺杂了杂质的n+硅层和所述第一半导体层和所述绝缘膜连续地图案化,从而形成只露出所述第一电极的规定区域的开口部的工序;
至少在所述开口部露出的所述第一电极上形成所述载流子输送层的工序。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制造方法,其中,所述绝缘膜通过浸蚀基板的蚀刻气体进行图案化,所述绝缘膜是氮化硅或氧化硅。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制造方法,其中,所述蚀刻气体是氧和SFO6的混合气体。
4.根据权利要求1~3中任何一项所述的显示面板的制造方法,其中,形成有所述开口部的所述绝缘膜包含晶体管的栅极绝缘膜。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制造方法,其中,该方法包括在形成所述第一电极的工序后,形成所述晶体管的源电极或漏电极中的任何一个的工序。
6.根据权利要求1~3中任何一项所述的显示面板的制造方法,其中,形成有所述开口部的所述绝缘膜包含层间绝缘膜。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制造方法,其中,该方法包括在所述层间绝缘膜上通过将感光性树脂层图案化而形成堤的工序。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制造方法,其中,该方法包括在形成所述堤的工序后,用纯水洗涤所述基板,并实施氧等离子体处理或UV臭氧处理,使所述第一电极表面相对于含有有机化合物的液体亲液化的工序。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制造方法,其中,该方法包括在使所述第一电极亲液化的工序后,使所述堤的表面相对于所述含有有机化合物的液体疏液化的工序。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制造方法,其中,形成所述载流子输送层的工序是在使所述堤的表面疏液化的工序后,涂布所述含有有机化合物的液体来形成所述载流子输送层。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制造方法,其中,该方法包括在形成所述载流子输送层的工序后,在所述载流子输送层上形成所述第二电极的工序。
12.根据权利要求4所述的显示面板的制造方法,其中,该方法包括在形成所述第一电极的工序之前,在所述基板上用酸系蚀刻剂通过湿法蚀刻形成所述晶体管的栅电极的工序。
13.一种显示面板的制造方法,所述显示面板具备由第一电极、至少由一层构成的载流子输送层、和第二电极层叠而成的发光元件,其中,该方法包括以下工序:
在基板上的规定区域上形成所述第一电极的工序;
在形成所述第一电极后,在包含所述第一电极的所述基板上形成绝缘膜的工序;
在形成所述绝缘膜后,在所述绝缘膜上形成半导体层的工序;
在形成所述半导体层后,在所述半导体层上形成掺杂了杂质的n+硅层的工序;
按照使所述第一电极的至少一部分露出的方式,通过蚀刻气体连续地除去所述绝缘膜和所述半导体层和所述掺杂了杂质的n+硅层的工序;
在露出的所述第一电极上形成所述载流子输送层的工序;
在所述载流子输送层上形成所述第二电极的工序。
14.一种显示面板,其具备由第一电极、至少由一层构成的载流子输送层、和第二电极层叠而成的发光元件,其中,该显示面板包括:
基板,其具有在绝缘膜的蚀刻气体中不暴露的规定区域;
所述第一电极,其设在所述基板的所述规定区域上;
所述绝缘膜,其形成于包含所述第一电极的所述基板上,具有露出所述第一电极的规定区域的开口部;
形成在所述绝缘膜上的第一半导体层;
形成在所述第一半导体层上的掺杂了杂质的n+硅层;
所述载流子输送层,其至少形成于在所述开口部露出的所述第一电极上;
所述第二电极,其形成于所述载流子输送层上,
在所述开口部的至少一端,所述开口部的形状由所述绝缘膜、所述第一半导体层及所述掺杂了杂质的n+硅层的端部的形状规定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造